三硫化四磷的晶体结构

P_4S_3晶体的空间群为D_(4h)~(16)-P2_1/b2_1/n2_1/m,每个晶胞中含有8个P_4S_3分子,正交晶胞3个晶轴的长度各为 a=13.64埃 b=10.56埃 c=9.62埃按照衍射谱中的系统消光,晶体的空间群亦可能为C_v~9-Pbn2_1。 从Patterson函数P(0,0,w)与衍射谱00l的强度数据中,可以得出晶体的空间群为D_(2h)~(16)与Hassel和Pettersen式的P_4S_3分子坐在结构中对称面上的工作假定以及原子的z坐标等,从而根据P(u,1/2,w_p),P(u,1/2,w_s),P(1/2,v,1/2-w_p),P(1/2,v,1/2-w_s),P(u,1/2,o)和P(1/2,v,1/2),其中w_p与W_s各为每一分子中由对称面联系着的一对P原子与S原子间的距离,以及P和S原子的共价半径、van der Waals半径等得出了各原子的x,y坐标。引得的试用结构最后又经Fourier投影ρ(x,y)与结构因子的计算得到肯定与修正。 在P_4S_3晶体中,分子系Hassel-Pettersen式的P_4S_3分子。本工作很可信服地肯定了这一点。键长与键角的近似值为P-P=2.25 A,P—S=2.06 A,P—S—P—103°。 本工作是作者在氮族元素硫化物结构化学方面进行的研究工作的一部分。     

镁离子对人造水晶基面生长的影响

为了探明镁离子对基面(0001)生长水晶的宏观质量和表面形貌的影响,我们曾选择金属镁与氧化镁作为掺杂物质,在水热条件下用温差法进行了生长试验,并对生长出的晶体作了肉眼和显微镜观察。实验采用40毫米内径的双截锥环密封式高压釜;溶剂为0.5N NaOH水溶液,其充     

水热法培育刚玉单晶体

焰融存积法(Verneuil法)合成刚玉的技术已经相当成熟;然而用此法生长的晶体往往具有内应力大和镶嵌度高等缺点。与焰融法相比,在水热条件下,晶体是处于较低的温度和很小的温度梯度的情况下缓慢地生长的,因此在高温高压的水溶液中有可能培育出完整度较高的刚玉单晶体。近年来国外一些实验室相继开展了水热法合成刚玉晶体的研究。但一般来说,这方面的工作目前尚属初始阶段。