BaTiO3基抗还原陶瓷材料的研究

研究了ＢａＴｉＯ３基抗还原陶瓷材料的结构和介电性质,讨论了ＺｒＯ２、ＭｎＯ和ＢＴ系中摩尔比ｍ对瓷料抗还原性能和介电性能的影响。通过调整上述参量加入适量的添加剂,获得了在氮气中烧成并符合Ｆ组性能要求的ＢａＴｉＯ３基抗还原陶瓷材料。     

（Ba1—xNdx）TiO3系陶瓷的电性能

研究了不同Ｎｄ＾３＾＋浓度（０．１ｍｏｌ％－２ｍｏｌ％）掺杂的ＢａＴｉＯ３陶瓷的电性能。结果表明，当Ｎｄ＾３＾＋逍度为０．１ｍｏｌ％－０．２ｍｏｌ％时，轻度Ｎｄ＾３＾＋掺杂的ＢａＴｉＯ３陶瓷呈半导性，而当Ｎｄ＾３＾＋为０．６ｍｏｌ％－２ｍｏｌ％时呈绝缘性，ＢａＴｉＯ３陶恣室温下的体电阻率ρｖ随Ｎｄ＾３＾＋浓度的变化呈Ｕ型特性曲线，当Ｎｄ＾３＾＋＝０．１５ｍｏｌ％时材料具有最低的ρｖ和最佳的正温系数     

BaTiO_3基抗还原陶瓷材料的研究

研究了 Ba Ti O3基抗还原陶瓷材料的结构和介电性质 ,讨论了 Zr O2 、Mn O和 BT系中摩尔比 m对瓷料抗还原性能和介电性能的影响 .通过调整上述参量并加入适量的添加剂 ,获得了在氮气中烧成并符合 F组性能要求的 Ba Ti O3基抗还原陶瓷材料     

（Ba_（1－x）Nd_x）TiO_3系陶瓷的电性能

研究了不同Ｎｄ３＋浓度（０．１ｍｏｌ％～２ｍｏｌ％）掺杂的ＢａＴｉＯ３陶瓷的电性能．结果表明，当Ｎｄ３＋浓度为０．１ｍｏｌ％～０．２ｍｏｌ％时，轻度Ｎｄ３＋掺杂的ＢａＴｉＯ３陶瓷是半导性，而当Ｎｄ３＋为０．６ｍｏｌ％～２ｍｏｌ％时呈绝缘性．ＢａＴｉＯ３陶瓷室温下的体电阻车ρＶ随Ｎｄ３＋浓度的变化呈Ｕ型特性曲线，当Ｎｄ３＋＝０．１５ｍｏｌ％时材料具有最低的ρＶ和最佳的正温系数（ＰＴＣＲ）效应，相应于最大的平均晶粒尺寸ＡＧＳ和介电常数ε。随着Ｎｄ３＋浓度的增加．材料的ε和居里常数Ｃ下降，同时ε与Ｃ值密切相关．ＳＥＭ照片显示了Ｎｄ３＋含量对材料晶粒尺寸的强烈影响．此外，还分析了ＺｒＯ２对（Ｂａ１－ｘＮｄｘ）ＴｉＯ３系陶瓷电性能的影响．