Q(K*G)上的不变高斯扩张

设V是除环K上的完全赋值环,G是一个有纯锥P的Abel群,假设G在K上的交叉积K*G有右商除环Q(K*G),R是V在Q(K*G)上的一个高斯扩张。本文给出了R是V在Q(K*G)上的不变高斯扩张的一个充分必要条件。     

基于PowerPoint2003的多媒体系统制作技术

本文主要介绍多媒体CAI系统中界面设计的基本原则以及利用PowerPoint2003软件制作系统课件的一些关键技术。     

功率MOSFET在电子负载中的应用

设计人员都用直流电子负载来测试电源,如太阳能阵列或电池,但商用直流电子负载很昂贵。你只要将功率MOSFET在其线性区内使用,就可制作出自己的直流电子负载。     

《数字电路》与后续课程的连贯性

本文从数字电路与后续课程的连贯性角度出发,阐明了数字电路作为单片机、微机原理等课程的的基础课,与后续 课程的密切关系;现行数字电路教学内容的缺陷及改进设想.     

基于PowerPoint2003的多媒体系统制作技术

本文主要介绍多媒体CAI系统中界面设计的基本原则以及利用PowerPoint2003软件制作系统课件的一些关键技术.     

干涉型Al-N-O选择性吸收表面的研究

利用Ａｌ－Ｎ－Ｏ选择性吸收层之间产生的干涉效应，改善吸收表面挑学性能（吸收率α和发射率ε），通过工艺确定了２种不同金属填充因子的双吸收层结构，与多层渐变吸收表面相比双吸收层结构吸收表面具有膜系结构简单、高温下性能稳定、发射率较低等优点，吸收表面的吸收率α为０．９３￣０．９５，发射率ε（３５３Ｋ）为０．０４￣０．０６。     

群环Z_nG的零因子图的性质

本文主要讨论了群环ZnG的零因子图的性质,分别给出了群环ZnG的零因子图的围长、直径和平面性的详细刻画,其中G为素数阶群。     

Z(2)上的纯锥与K[Z(2),σ]上的平凡分次扩张

令Z为整数加群,σ为Z(2)到除环K的自同构群Aut(K)的群同态,K[Z(2),σ]为Z(2)上的斜群环.假定K[Z(2),σ]有左商环K(Z(2),σ).首先,给出Z(2)上纯锥的完全刻画;然后,证明了Z(2)上的纯锥的集合和K[Z(2),σ]上的平凡分次扩张的集合之间有一个一一对应的关系;最后,对K[Z(2),σ]上的平凡分次扩张进行完全的刻画.     

《电子技术试题库系统》的设计思路

本文主要介绍作者用VFP6.0设计《电子技术试题库系统》中的一些主要技术问题谈一些个人观点。     

清洁生产的组织管理研究

着重表达了开展清洁生产关键环节在于积极开展清洁生产审计工作,通过审计工作所得到的无/低费方案又是实施清洁生产成功的关键,并就如何把握关键提出解决问题方法。