计算半导体表面杂化电子态的简单方法

根据原子杂化轨道指向与键方向一致的假设,结合原子的电子轨道正交归一性条件,导出了共价半导体表面原子杂化轨道与原子结构位置的关系式。通过对GaAs(111)-2×2真实表面的计算及与较复杂理论的比较,表明这种方法既简单又可靠。     

位错心线性膨胀模型的正电子湮没特性

一、导言 Arponen等提出的位错模型(以下简称A-模型)相当好地和变形Al的正电子(e~+)湮没实验结果符合,但用空心柱孔模型(以下简称C-模型)也能够给出同样好的结果。这说明位错e~+湮没效应的主要贡献来源于位错中心区域,凡是主要考虑位错心的模型均能给出接近实验的结果。然而,C-模型描述位错心过于简化,例如它的离子密度分布在柱孔边界上发生突