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为了分析不同波长响应对光电阴极结构的要求,提出适用于各类响应的AlGaAs基光电阴极的计算模型.通过宽光谱响应GaAs和窄带响应AlGaAs基光电阴极样品试验证实模型的有效性.基于该模型仿真研究AlGaAs基光电阴极组件中GaAs发射层及各子层、AlGaAs窗口层、Si3N4增透层的厚度与400~900 nm单波长光子吸收情况的分布关系.仿真结果表明,同一波长响应下,GaAs发射层对光电阴极吸收率的影响最大,其次是Si3N4增透层,而AlGaAs窗口层对吸收率的影响不明显.要得到90%以上的吸收率,在600 nm波长响应下GaAs发射层厚度应大于0.5μm, 700 nm波长响应下GaAs发射层厚度应大于0.8μm, 800 nm波长响应下GaAs发射层厚度应大于1.5μm.400~600 nm波段的光子主要在GaAs发射层表面0.2μm内被吸收,700~800 nm波段的光子主要在GaAs发射层表面0.6μm内被吸收,而850 nm以后的光子在各子层间的吸收比较均匀.该结论对不同响应AlGaAs基... 相似文献
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覃翠 《科技情报开发与经济》2016,(3):58-60
从少儿阅读推广的现状出发,结合广西少年儿童图书馆开展少儿阅读推广的成功案例,阐述了多元智能阅读与多元合作相结合的少儿阅读推广模式的优势及推广途径。 相似文献
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