S－GaAs表面键对砷化镓电性能的影响

砷化镓表面经硫化钠水溶液处理后，其电学性能得到很好的改善。实验样品的电容电压特性曲线发生变化，势垒电容变大。Ｘ射线光电子谱揭示样品表面氧的成分大大减少，砷的结合能由原来的１３２１．４７ｅＶ变为１３２１．００ｅＶ，Ａｓ（２Ｐ＿（３／２））芯能级移位０．４７ｅＶ。砷化镓表面形成Ｓ－Ａｓ键，改善了表面费米能级的钉札，减少了表面态密度及表面复合中心。