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本文叙述了为研究热氧化工艺中生长的氧化层错与固定电荷的成因及其抑制、消除或减少途径而设计的有关实验,对所得到的各实验结果,均可应用Sanders等人的空位发射机构以及S·M·Hu模型作定性说明,从而得出若干结论。  相似文献   
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