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本文用薄晶体电镜,x射线衍射形貌和金相腐蚀坑法研究了氢区熔硅单晶热处理缺陷形成机理。 通过变温热处理,发现氢区熔硅单晶热处理缺陷主要是由氢沉淀引起的。沉淀过程可能首先是Si-H键分解,然后是氢的扩散聚集,测出沉淀过程激活能是56.000±3000卡/克分子,它可能是Si-H键的分解激活能。沉淀物的析出面是{111}晶面,几何形态起始近似球状,然后变成扁椭球,最后是沿<110>方向拉长的片状沉淀物。 随着沉淀物的长大,在一定温度下(约600-700℃)会在沉淀物周围发射稜柱位错环,其分布形态和热处理温度有关。高温热处理时,沉淀物周围能发射出高对称的多组稜柱位错环,形成“星形”位错群。稜柱位错的稜柱面是{111}晶面,柏氏矢量是a╱2<110>。发射方向是<110>方向,位错线是<112>方向。 相似文献
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用腐蚀法观察了五磷酸镧钕晶体的腐蚀缺陷。晶体中存在着錐形蚀坑和相应的腐蚀隧道及两种腐蚀沟槽。对这些腐蚀缺陷的形态、特点及分布进行了总结,并探讨了它们的产生与生长条件的关系,讨论了它们的成因及本质。 相似文献
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本文首次报导了在铁弹晶体五磷酸钕中存在的反相疇界,并在一系列稀土五磷酸盐晶体中观察了其存在与结构的关系;观察了其类型、分布状态及腐蚀特征;用x射线形貌术确定了直型反相疇界的平移矢量;提出了反相疇界的微观模型。 相似文献
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