石墨烯线缺陷的电子valley滤波特性的数值模拟研究

基于紧束缚近似哈密顿模型,运用波包动力学方法,数值模拟研究了石墨烯电子穿越线缺陷的输运性质和相应的透射率,着重探讨线缺陷对于电子Valley赝自旋的滤波特性.模拟结果表明:(1)石墨烯线缺陷对于电子valley赝自旋具有半透性;(2)电子的透射率与入射角度和能量都有关;(3)在某个临界角度θc,透射率出现峰值,其大小随着能量的增加而增大,而|θc|的绝对值却随能量的增加而减小;(4)当入射角|θ|大于|θc|时,透射率将急剧地降为0.进一步的理论分析指出,这是由于透射率能量关系中的非线性项所造成的.最后,我们的数值模拟结果进一步地证明了石墨烯线缺陷未来作为valley赝自旋滤波器件的实用可能性.     

碳纳米管在轴向磁场中的电子态密度

研究了纳米碳管在接近轴向磁场中的Aharonov-Bohm效应，计算结果表明纳米碳管的电子态密度会被磁场剧烈地改变，所有的纳米碳管都会出现一个随穿过的磁通量周期化的能隙，周期为h/e，因此纳米碳管的导电性也随磁通周期地改变；但对不同类型（金属型和半导体型）的纳米碳管，这种变化的图样有不同的特征。