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1.
氮化硅薄膜的AES研究
戴道宣
林荣富
王季陶
汪德馨
董锡威
罗兴华
《复旦学报(自然科学版)》
1982,(4)
众所周知,相对于二氧化硅说来,由于氮化硅具有很强的对钠离子等可动离子的阻挡能力、针孔少而结构致密、化学稳定性强以及热膨胀系数比二氧化硅更接近于硅等优良特性,已被广泛用于半导体器件的生产中.例如用作钝化膜和用于局部氧化、等平面隔离、
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