铝掺杂对硅基薄膜电致发光的影响

采用双离子束共溅射技术,通过对由Al,Si和SiO2组成的复合靶的溅射制备出掺铝的富硅二氧化硅复合薄膜（AlSiO)。其中铝和硅在薄膜中的含量可通过改变靶面上铝和硅秘占的表面积来调节。在所有的样品中,在可见光范围均观察到仅有一个位于510nm的电致发光（EL）谱峰。实验结果表明,在一定的工艺条件下适量的掺铝可明显地改善EL的启动电压及发光强度。     

Ge-SiO_2薄膜的光致发光及其机制

采用射频磁控溅射复合靶技术制备了Ge-SiO2薄膜. 薄膜在N2的保护下进行了不同温度的退火处理. 根据X射线衍射(XRD)谱估算了Ge纳米晶粒的平均尺寸. 经600～1000℃退火, Ge纳米晶粒的平均尺寸从3.9 nm增至6.1 nm. 在紫外光的激发下, 所有样品都发出很强的394 nm的紫光. 随着Ge纳米晶粒的出现, 样品有580 nm的黄光发出, 其强度随着晶粒的增大而增强. 对于经不同温度退火的样品, 这两个波段的峰位都保持不变. 根据分析结果对光致发光的机制进行了讨论.     

富Si-SiO_2薄膜的制备、结构及光致发光特性的研究

利用双离子束溅射沉积共溅射方法制备了富Si SiO2 薄膜 ,研究了沉积参数、时间、工作气压PAr、基片温度等对沉积速率的影响 ,用TEM和XRD分析了样品的结构 ,当基片温度Ts <4 50℃时 ,所制备一系列样品均为非晶结构 ,当沉积基片温度较高时 (Ts ≥4 50℃ ) ,薄膜样品中才出现Si的颗粒 我们还分析了样品的室温光致发光现象 ,从PL谱中可以看出 ,样品有～ 32 0nm、～ 4 10nm、～ 560nm和～ 630nm四个PL峰 ,并对其发光机理进行初步探讨     

Ge-SiO2薄膜的光致发光及其机制

采用射频磁控溅射复合靶技术制备了Ge-SiO2薄膜。薄膜在N2的保护下进行了不同温度的退火处理。根据X射线衍射（XRD）谱估算了Ge纳米晶粒的平均尺寸。经600-1000℃退火,Ge纳米晶粒的平均尺寸从3.9nm增至6.1nm。在紫外光的激发下,所有样品都发出很强的394nm的紫光。随着Ge纳米晶粒的出现,样品的580nm的黄光发出,其强度随着晶粒的增大而增强。对于经不同温度退火的样品,这两个波段的峰位都保持不变。根据分析结果对光致发光的机制进行了讨论。     

球磨技术制备铁的氮化物及性能研究

实验通过球磨α－Ｆｅ和脲的混合粉末,制得α’－Ｆｅ（Ｎ）超细粉末,Ｎ原子含量为８．８ａｔ％,饱和磁化强度σ为２４２．７ｅｍｕ／ｇ。样品经１６０℃真空退火４小时,α′－Ｆｅ（Ｎ）相部分转变为α″－Ｆｅ１６Ｎ１２相,此时样品的饱和磁化强度σｓ提高到２５２．０ｅｍｕ／ｇ,样品中α″－Ｆｅ１６Ｎ２相含量约２１ｗｔ％,其σｓ为２８７．３ｅｍｕ／ｇ。热分析表明,在１５０℃－２００℃,α′－Ｆｅ（Ｎ）相转移为α     

DSOI,SOI和体硅MOSFET的特性测量比较

严重的自热效应和浮体效应是绝缘体上硅(SOI)器件的主要缺点.绝缘体上漏源(DSOI)结构的提出就是为了抑制SOI器件中的这两种效应.为了实现DSOI器件结构并且研究DSOI器件的特性,和SOI器件与体硅器件进行对比,采用新型的局域注氧工艺成功地在同一管芯上制作了DSOI、体硅和SOI 3种结构的器件.通过对3种结构器件的电学特性和热学特性的测量比较,证明了DSOI器件成功地抑制了浮体效应,并且大大降低了自热效应.由于DSOI器件漏、源区下方埋氧层的存在,在消除了SOI器件严重的自热效应和浮体效应的同时,保持了SOI器件相对体硅器件的电学特性优势.DSOI器件成功地结合了SOI器件和体硅器件的优点,并且克服了两者的缺点,是一种很有希望的高速低功耗新器件.