纯金属电阻率的简化模型

提出了纯金属电阻率的两个简化模型：一个统计模型，一个电子一声子耦合模型。由统计模型可得出：纯金属电阻率与声子浓度及声子平均动量的平方成正比。由电子－声子耦合模型得出：电子的散射几率不仅正比于声子数，而且正比于电子－声子的耦合强度。由这两个模型皆能得出纯金属电阻率在高温时与温度Ｔ成正比，低温时与Ｔ５成正比的结果。由电阻率—温度曲线的比较表明，两模型相当吻合。     

《固体物理教程》一书的特色

新编《固体物理教程》的第一个特色是只论述基础理论，不包括专业内容、除了教材体系作了改革外，对教学内容作了革亲提本书的第二大特点，对某些固体物理问题的处理方法和物理模型进行了改进是本收的又一特点。     

新型压电晶体Ga_(0.12)Al_(0.88)PO_4电弹常数的测量

采用两类切型的晶片,利用动态法对用缓慢升温法生长的新型非铁电性二元系压电晶体Ga_(0.12)Al_(0.88)PO_4电弹常数进行了测量。     

高温下爱因斯坦模型与德拜模型热容结果的一致性

指出了高温下晶格振动热容理论中爱因斯坦模型与德拜模型的异同之处．理论分析发现，高温下晶格振动能与振动模式近似无关．解释了在相去甚远的假设前提下，两种晶格振动热容理论模型的结果在高温下一致的原因．     

复合法制备的(K0.48Na0.52)1-x（LiSb）xNb1-xO3无铅压电陶瓷性能研究

采用传统的固相反应法和普通的烧结工艺,分别制备了(K0.48Na0.52)1-x(LiSb)xNb1-xO3(x=0.055,0.060,0.065)和x=0.055,x=0.065按摩尔比1:1复合的无铅压电陶瓷样品(55-65),并对样品的压电、介电等性能进行了测试研究.实验结果表明:55-65不等同于x=0.060的组分,其压电性能远低于x=0.060的样品,进一步研究表明,相同烧结温度下,55-65样品的损耗较高,晶粒难以生长,相对较小,较小的晶粒可能在样品形变时产生的应力较大,这可能是55-65样品压电性能较低的原因.     

BNT基无铅压电陶瓷研究进展

Bi_(0.5)Na_(0.5)TiO_3(BNT)基无铅压电陶瓷,以其良好的电学性能和较高的居里温度等特点而倍受关注.近年来,对该体系陶瓷材料进行研究的报道越来越多.本文结合近年有关BNT基无铅压电陶瓷的报道,从离子掺杂,外掺氧化物及添加烧结助剂三个方面介绍了最新研究进展,并展望了BNT基压电陶瓷的发展趋势.     

Cr2O3对（Co，Ta）掺杂的SnO2压敏电阻电学特性的影响

研究了Cr对(Co，Ta)掺杂的SnO2压敏材料电学性质的影响。当Cr2O3的含量从0增加到0．15mol％时，(Co，Ta)掺杂SnO2压敏电阻的击穿电压从206V／mm增加到493v／mm；1kHz时的相对介电常数从1968猛降至498；晶界势垒高度分析表明，SnO2晶粒尺寸的迅速减小是样品击穿电压增高、相对介电常数急剧降低和电阻率迅速增大的主要原因。对Cr含量增加引起SnO2晶粒减小的原因进行了解释。掺杂0．15mol％Cr2O3的SnO2压敏电阻非线性系数为24，击穿电压达498V／mm，在高压保护领域有很好的应用前景。     

晶体X光衍射强度与几何结构因子关系研究

从原子中的电子对X光散射的概念出发,对任意一个晶胞内的任意一个原子产生的X光衍射给出了具体的数学描述,从几何结构因子的定义出发,从理论上证明了晶体X光衍射强度与几何结构因子的平方成正比的这一重要关系。     

(Na_(0.4875)K_(0.4875)Li_(0.025))Nb_(0.83-x)Sb_xTa_(0.17)O_3陶瓷的制备及性能

利用传统工艺制备了(Na_(0.487 5)K_(0.487 5)Li_(0.025)Nb_(0.83-x)Sb_xTa_(0.17)O_3无铅压电陶瓷.研究了在Ta定量的情况下,Sb取代对陶瓷的热学性质、结构、介电性能及铁电性能的影响.实验结果表明,陶瓷粉料在650℃左右合成反应基本完成,得到了较适宜的烧结温度;所制备的陶瓷均为单一的钙钛矿结构;样品的居里点(T_c)、正交-四方相变温度(T_(T-O))均随Sb含量的增加而降低;Sb~(5+)的适量加入,能够降低矫顽场E_c,当x=0.07时,剩余极化出现最高值P_(?)=15.4μC/cm~2.