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目的 研究通过调整Sn组分提高GeSn红外探测器的性能,为其进一步发展和实现在光纤通信中的应用提供科学依据和设计思路。方法 基于GeSn合金设计并优化了光探测器,以期获得高的响应度和宽的响应波段。经过Silvaco软件仿真,建立了Ge基波导型光探测器的初始模型,通过控制变量不断改变特征参数来优化器件,引入应变对材料进行能带改性。结果与结论通过改变GeSn合金中Sn的组分,GeSn红外光探测器的最大截止波长可达到2.25μm,同时理清了材料中的应变对探测器响应度、响应范围等性能的作用机制,获得了高响应度和响应范围的GeSn光电探测器件。 相似文献
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目的设计一款应用于PWM控制器的带隙基准。方法前级的欠压锁定电路在电源电压上升到8.2V时才能开启,当电源电压下降到7.8V后级电路关断,既保证了整个电路的正常工作,又节省了电路的功耗。结果 CADENCE Spectre软件仿真结果表明:温度为25℃时,带隙基准输出电压为5.006 5V;在-55℃～125℃的温度变化范围内,基准的温度稳定性为0.17mV/℃;电源电压12V≤Vcc≤25V,基准输出的最大变化为0.233mV;基准输出电流1mA≤Io≤20mA,输出电压的最大变化为1.81mV;基准电路的输出短路电流为-105mA。结论版图基于华越微电子有限公司SB45V双极工艺流程和版图层次设计,流片测试结果证明本单元的设计满足要求。 相似文献
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为了给脉宽调制(PWM)控制器提供稳定的工作电压,基于齐纳二极管的正温度系数和三极管B-E结的负温度系数之间的温度补偿原理,设计1个结构简单、性能优越的高精度基准电压电路,并应用华越SB45双极工艺在Candence中进行仿真.研究结果表明:该电路能够提供多路稳定的基准工作电压,而且具有较高的电源电压抑制比,对温度依赖程度很小;在-55～125 ℃范围内,该电路的温度系数为1.2×10-6 /℃;当电源电压为8～30 V时,线性调整率约为0.4 mV/V,电源电压抑制比为77.54 dB,能够满足PWM控制器的工作需求. 相似文献
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