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在Baranowski-B櫣tter-Voit(BBV)模型的基础上,考虑了次近邻电子跳跃对PNB(pernigraniline-base)聚合物中带负电孤子和正电孤子能级结构、晶格位形及电荷密度分布的影响.结果表明:逐渐增强的次近邻作用可使两类孤子导带宽度变小,价带宽度变大,电子的跃迁能逐渐增大;孤子的宽度基本不变;负电孤子的电荷密度分布振荡加强,正电孤子的则减弱.初步确定孤子晶格中的次近邻电子跳跃强度β≤0.04. 相似文献
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在Baranowski-Büttner-Voit（BBV）模型的基础上，讨论了次近邻电子跳跃对PNB（pernigraniline－base）聚合物中空穴型极化子和电子型极化子能谱结构及晶格位形的影响．数值计算表明：（1）逐渐增强的次近邻作用可使两类极化子导带宽度变小，价带宽度变大，极化子能级之间的跃迁能逐渐减小；电子型极化子的宽度明显变小，而空穴型极化子几乎不变；（2）通过与Leng J M等人的实验结果对比，确定极化子晶格中的次近邻跳跃强度β＜0.08． 相似文献
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