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研究了强磁场对共晶铝硅合金变质效果的影响.对共晶Al—12.6%Si合金进行Na盐变质处理,发现施加强磁场的条件下,在变质剂反应温度下保温20min,共晶硅细化,并呈现一定程度的粒状化,其变质效果明显优于不施加强磁场.760℃下延长保温时间至40min,未施加强磁场条件下的试样出现严重的变质衰退现象,施加强磁场的试样变质衰退现象相对教轻.在施加强磁场条件下,即使保温40min,其变质效果也优于不施加强磁场时保温20min时的,即强磁场具有一定的延长变质有效时间的作用.分析认为强磁场抑制对流是其中的原因之一. 相似文献
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基于Haar小波变换的信号到达时间估计 总被引:2,自引:0,他引:2
研究了在信号频率、初相、幅度未知条件下,矩形包络复正弦信号的到达时间估计算法。先利用相关检测算法,对信号的起止时间进行粗估计。在检测到信号的条件下,估计出信号频率并将其变换至基带,在一定尺度下对基带信号作Haar小波变换,检测出小波变换模值的峰点位置作为到达时间精估计。给出了小波尺度选取的原则,并推导了到达时间估计的克拉美罗限(CRLB)。计算机仿真表明,信噪比达6 dB时,到达时间估计的均方根误差小于0.8倍的采样间隔,实现了对信号到达时间的精估计。 相似文献
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针对低信噪比(signal to noise ratio, SNR)低截获概率(low probability of intercept, LPI)雷达脉内波形识别准确率低的问题,提出一种基于时频分析、压缩激励(squeeze excitation, SE)和ResNeXt网络的雷达辐射源信号识别方法。首先通过Choi-Williams分布(Choi-Williams distribution, CWD)获得雷达时域信号的二维时频图像(time-frequency image, TFI);然后进行TFI预处理降低噪声干扰和频率维的位置分布差异,以适应深度学习网络输入;最后在ResNeXt基础上加入扩张卷积和SE结构提取TFI特征,实现雷达辐射源分类。实验结果表明,SNR低至-8 dB时,该方法对12类常见LPI雷达波形的整体识别准确率依然能达到98.08%。 相似文献
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报道了以金属氧化物Ti O2和Cr2O3为原料,用固相研磨的物理方法制备了不同Ti/Cr组分的烧结型气敏陶瓷传感器.研究了Ti O2陶瓷烧结型气敏传感器对苯的敏感特性.结果发现Ti O2陶瓷烧结型气敏传感器对浓度为21ppm的苯有较好的响应.还选用了丙酮、甲醛和乙醇作为参比气体,得出该Ti O2气敏传感器对苯具有较好的选择性. 相似文献
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在信号包络存在细微差异前提下,研究了基于最大似然准则的特定辐射源识别算法.先将接收信号进行滤波,滤除带外噪声,以提高信噪比,接着将处理后的具有带限白噪声背景的信号变换到基带并进行卡亨南-洛维展开,在此基础上对信号的似然函数进行处理,得到等效的检验统计量及判决门限,完成特定辐射源的分类识别.计算机仿真表明,被识别信号的互相关系数为0.9932时,在0 dB信噪比条件下,利用单个脉冲信息,平均识别正确率达94%. 相似文献
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作者采用恒电流技术,室温条件下直接在金属钼片上制备了白钨矿结构的BaxCa1-xMoO4固溶体厚膜和BaMoO4单组分厚膜,采用X射线衍射、扫描电子显微镜等手段对薄膜进行了分析表征,详细研究了溶液成分对BaxCa1-xMoO4厚膜的形貌及其晶格常数的影响.分析结果显示所制的BaxCa1-xMoO4(0≤x≤1)固溶体陶瓷厚膜为四方晶系的单相膜,粒径随Ca2 /Ba2 的增大而增大,形貌也逐渐由CaMoO4逐渐过渡到BaMoO4,溶液中Ba2 含量为0.2(阳离子原子百分比)时,膜的形貌为呈明显的四方锥体,晶格结构为BaMoO4结构.溶液中BaxCa1-xMoO4厚膜的生长先是Ca原子掺入到BaMoO4中,晶格结构接近BaMoO4的晶格结构.分析晶胞参数表明,Ca2 并不是随机取代Ba2 ,而是沿c轴优先取代Ba2 . 相似文献
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作者报道了利用软溶液法制备了钼酸钙的溶胶.用XRD对薄膜的晶相结构进行了分析,用SEM对薄膜的表面形貌进行了分析,用EDAX对薄膜的表面化学组分进行了分析.实验结果表明在近室温(40℃至50℃)的条件下就得到了四方相的钼酸钙多晶薄膜,表面分析的结果表明晶粒的尺寸在纳米的范围内,能谱分析表明薄膜成分的化学计量比钙与钼接近1∶1. 相似文献