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1.
采用线性组合算符及幺正变换方法研究了量子阱中强、弱耦合束缚光学极化子的性质.导出了量子阱中束缚光学极化子的基态能量与库仑束缚势、电子-LO声子的耦合强度和阱宽的变化关系.通过数值计算结果表明:基态能量因电子-LO声子的耦合强度和库仑束缚势的不同而不同,它随电子-LO声子的耦合强度和库仑束缚势的增大而增大,当电子-LO声子的耦合强度和库仑束缚势取某一定值时随阱宽的增大而增大. 相似文献
2.
库仑场中的束缚光学极化子 总被引:2,自引:0,他引:2
研究库仑场中束缚光学极化子的性质,采用线性组合算符和么正变换方法计算了强弱耦合情形束缚光学极化子的基态和第一激发态能量.计算结果表明:库仑场使束缚光学极化子的基态和第一激发态能量的绝对值变大,激发能量变大.不同离子晶体或不同极化材料中,库仑场对光学极化子的影响效果不同。 相似文献
3.
研究多原子晶体中强耦合表面极化子的性质.采用Tokuda改进的线性组合算符和幺正变换方法导出了表面极化子的振动频率和声子平均数,讨论了多原子晶体中强耦合表面极化子的振动频率和声子平均数与拉格朗日乘子u和电子一声子耦合参数α的关系.结果表明:表面极化子的振动频率λ和声子平均数N随耦合参数α和拉格朗日乘子u的增加而增加. 相似文献
4.
本文利用线性组合算符法和么正变换研究了极性晶体内强耦合慢运动磁极化子的特性。导出了磁极化子的基态能量、有效质量和回旋共振频率,作了数值计算,结果表明:磁极化子的基态能置随磁场B的增加而减少,有效质量和回旋共振频率随磁场B的增加而增大。 相似文献
5.
在有效质量近似的框架下,应用传递矩阵理论研究了势垒的非对称性对单电子隧穿几率的影响.结果表明:隧穿过程的势垒的形状对隧穿几率影响很大,势垒的对称性破坏的越严重,在低能区域发生共振隧穿的可能性越小.这些可以为设计和制造更加优化的共振隧穿器件提供一定的理论指导. 相似文献
6.
考虑Rashab自旋-轨道相互作用对半导体量子点中极化子基态能量的影响.采用LLP中耦合的方法处理了电子-声子相互作用.结果表明由于Rashba效应的影响使得极化子的基态能量分列为上下两支而且Rashba自旋-轨道相互作用能与总的基态能及其它能量成分间的比例关系,随电子波矢K变化非常显著.Rashba自旋-轨道相互用作使得量子点中极化子基态能量在无任何外磁场的情况下发生分裂,所以完全不同于强磁场影响下的简单Zeeman效应,然而,自旋-轨道相互作用引起的分裂有时掺杂着Zeeman分裂。因此它引起的分裂属于复杂分裂.声子对总能量的贡献为负,由于声子的存在极化子争裂能较裸电子更为稳定. 相似文献
7.
采用基于逐次正则变换的变分方法研究了利用单模压缩态变换处理双线性项的情况下抛物量子点中磁极化子的基态能量.讨论了在弱耦合情况下,受限长度,回旋频率,电子一声子耦合常数与基态能量的依赖关系. 相似文献
8.
声学形变势表面极化子的性质研究进展 总被引:1,自引:0,他引:1
肖景林 《内蒙古民族大学学报(自然科学版)》2003,18(3):193-200
综述了近年来对声学形变势表面极化子的性质方面的部分工作。在第一节中从表面电子—表面光学(SO)声子和电子—表面声学(SA)声子系的哈密顿量出发,用线性组合算符和么正变换法研究与S0和SA声子弱耦合的声学形变势表面极化子的有效哈密顿量、有效相互作用势和有效质量的性质。在第二节中研究了与S0声子耦合强与SA声子耦合弱的声学形变势表面极化子的振动频率,诱生势和有效质量的性质。在第三节中研究了与S0声子强耦合与SA声子弱耦合的声学形变势表面极化子的有效哈密顿量、振动频率和有效质量的温度效应。在第四节中计算了与SO声子耦合强与SA声子耦合弱的声学形变势表面极化子的声子平均数随坐标Z、振动频率λ和η的变化规律。在第五节中采用微扰法研究了声子之间相互作用对与SO声子强耦合与SA声子弱耦合的声学形变势表面极化子的有效哈密顿量、诱生势和有效质量的影响。 相似文献
9.
采用Larsen方法研究了半导体量子点中磁极化子基态能量的温度效应.在有限温度下导出了磁场内半导体量子点中电子—体纵光学(LO)声子相互作用系统的基态能量及二级微扰能量修正.讨论了磁场、量子点尺寸以及温度对半导体量子点中电子—体纵光学(LO)声子相互耦合磁极化子的基态能量影响.为了更清楚、直观地说明半导体量子点中磁极化子的性质,以GaAs半导体为例进行了数值计算,得到在强磁场的作用下半导体量子点中电子—体纵光学(LO)声子耦合系统的基态能量修正与磁场强度、量子点厚度及温度的关系曲线.结果表明:强磁场中电子—体纵光学(LO)声子相互耦合磁极化子的基态能量修正随磁场强度的增加而增大,随量子点厚度的增加而减少,随温度的升高而增大。 相似文献
10.
肖景林 《河北师范大学学报(自然科学版)》1990,(3):31-36
本文研究了二维非极性晶体中通过形变势与声学声子强、弱耦合激子的性质,采用线性组合算符和简单的么正变换,得到了强、弱耦合情形的非极性晶体中表面激子的有效哈密顿量、激子的自陷能和电子—空穴通过形变势与声子作用诱生的作用势表示为电子(空穴)一声子耦合参量α_1(α_2)的降幂级数,其首项为α_1(α_2)的一次方。 相似文献