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MEVVA源离子束合成镧硅化物 总被引:1,自引:0,他引:1
用MEVVA离子源将La离子注入到单晶硅中形成掺杂层,用XRD,SEM分子掺杂层的物相和表面形貌。分析表明,在强流离子注入后,掺杂层中有硅化物形成,且形成相的种类与注量,束流密度及后续热处理条件密切相关,对La硅化物的形成过程进行了讨论。 相似文献
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采用MEVVA离子源强束流离子注入机,将稀土Er离子注入单晶硅、Si和Er离子双注入单晶硅及热氧化硅,Er在硅基薄膜中的掺杂原子分数可达10%,即数密度约10^21cm^-3,注入态样品快速退火后有纳米晶Si形成;77K和室温时用441.6nm光激发有Er^3 较强的1.54μm特征发光发射,探讨了在硅基材料中高浓度Er掺杂薄膜中纳米结构的形成与Er^3 的光致发光性能。 相似文献
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在复杂的气象条件下飞机机翼容易出现结冰现象,结冰会导致机翼的气动布局改变,恶化飞机的气动特性与飞行性能,影响飞行安全,因此开展飞机机翼的防/除冰技术研究意义重大。介绍了机翼结冰的主要部位、典型冰形及其危害,采用FLUENT软件计算分析了2 种典型翼型NACA23012 和NACA0012 结冰前后的气动特性变化,总结了机翼结冰对飞机气动特性的影响规律,阐述了机翼防/除冰技术的原理、优缺点及近年的研究进展,分析了机翼防/除冰技术未来的发展方向。 相似文献
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MEVVA离子源金属掺杂蓝宝石着色的研究 总被引:2,自引:0,他引:2
利用金属蒸气真空弧(MEVVA)离子源将金属离子掺杂到无色人工合成蓝宝石中。研究在不同元素的注入条件下和退火过程中蓝宝石的着色情况。利用RBS研究掺杂元素在蓝宝石表面的分布状况,XRD分析蓝宝石金属掺杂层的物相变化,通过对金属掺杂蓝宝石的可见光吸收的测试,获得掺杂元素与蓝宝石着色的关系。 相似文献
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用MEVVA离子源将La离子注入到单晶硅中形成掺杂层 ,用XRD ,SEM分析了掺杂层的物相和表面形貌 .分析结果表明 ,在强流离子注入后 ,掺杂层中有硅化物形成 ,且形成相的种类与注量、束流密度及后续热处理条件密切相关 .对La硅化物的形成过程进行了讨论 . 相似文献
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(Si, Er)双注入单晶硅近红外光发射 总被引:1,自引:0,他引:1
利用金属蒸气真空弧离子源,将硅和铒离子先后注入到单晶硅中,经快速退火制备出(Si,Er)双注入单晶硅发光薄膜,RBS分析表明铒原子分接受10%,即原子浓度约10^21cm^-3,XRD分析发现,随着Er注量增加,退火态样品中ErSi2相增多,显微结构分析表明,注量条件影响辐照损伤程度、物相变化和表面显微形貌,而这些结构变化将直接决定(Si,Er)双注入单晶硅发光薄膜近红外区光致发光。 相似文献
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钕离子注入单晶硅合成硅化物的研究 总被引:1,自引:1,他引:0
用MEVVA离子源将Nd离子注入到单晶硅中形成钕硅掺杂层,用XRD分析了掺杂层的物相,用AES分析了掺杂层中离子的浓度分布,分析表明,在强流钕离子注入后,掺杂层中有硅化物形成,且形成相的种类随注量,束流密度及后续热处理条件的改变而变化,还对钕硅化物的形成过程进行了初步讨论。 相似文献
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