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建立了单层 (有机发光二极管 )中载流子注入、输运和复合的理论模型 ,通过求解非线性Painleve方程得到了电场强度随坐标变化的解析函数关系式 ,计算并讨论了载流子迁移率对电场强度、载流子密度等的影响。结果表明 :空间电荷分布不均匀造成了电场强度的不均匀分布。当在器件中占主导地位的载流子具有较低的迁移率或少数载流子具有较高的迁移率时 ,有利于载流子的输运与复合 ,发光性能可得到较大提高。 相似文献
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基于聚丁二炔(Polydiacetylenes)(简写为PDA's)中光致变色伴随Raman谱的显著改变这一事实,认为其先致变色是光诱导相结构转变的结果.建立了描述光诱导相结构转变的数学模型;对于光致变色的微观机理进行了深入的探讨;数值计算了光诱导相结构转变系数对入射光子能量的依赖关系,与实验符合。 相似文献
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具有缺陷的光子晶体,光子频率带隙内将出现局域模,而线缺陷相应地形成一个传输效率很高的光波导.计算了空气中Al材料的旋转四边形直柱光子晶体存在线缺陷时的带结构和态密度,给出了二维方形光子晶体的波导的TM模的电场分布,并讨论了波导耦合的传输效率. 相似文献
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彭景翠 《淮北煤炭师范学院学报(自然科学版)》1988,(3)
从分析聚乙炔的结构出发,在总结实验事实的基础上,提出了一个研究其电导的模型:它是沿链上、链间和纤维间三部分的贡献之和.从量子力学的普遍原理出发,分别算出了它们的数值;讨论了各种极限情况,能很好地解释实验事实. 相似文献
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彭景翠 《湖南大学学报(自然科学版)》1988,15(1)
利用一个简单的连续模型去研究聚丁二炔的结构相变,对于其中的σ电子和π电子分别处理.在聚丁二炔链上,当出现从PDB相向PDA相转变时,会出现一个畴壁和反畴壁,这个相变的出现主要是由于π电子重新分布的结果.我们把畴壁(反畴壁)当作元激发来处理,详细分析了相变过程,计算了畴壁(反畴壁)的结合能,成功能解释了如下的实验事实:在低温下PDA相比PDB相更稳定,并且会自发地发生从PDB向PDA的相变. 相似文献
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基于载流子电导是空间电荷限制与空间电荷在器件内部指数减小的假设,通过引入电荷空间分布的特征长度及有效迁移率,并考虑注入电流为热电子电流和隧穿电流,由此对器件的输运特性进行了详细讨论.结果表明电荷空间分布的特征长度对器件中的载流子浓度、电场强度及电流有很大影响;器件功能层厚度对器件的电场强度影响较大,对器件I-V特性影响不大. 相似文献
8.
彭景翠 《湖南大学学报(自然科学版)》1987,14(2)
利用一个简单的模型去研究共轭一维有机半导体(以聚二乙炔PDA-TS为例)中,荷电载流子的运动特点.从一个一般的输运方程出发,分析其一维系统的特点,发现在共轭一维半导体中,其输运现象都与载流子的俘获时间τ与被俘获的载流子的释放时τ_r之间的比率有关.从分析其平均自由程与所加的外场之间的关系出发,得出了在低场时,饱和漂移速度与声速同数量级的结论.从输运方程在极端情况下的求解,从理论上计算出了其迁移率,在0.15-0.25×10~2m~2s~(-1)V~(-1)(对应于外场:10~2-10~3Vm~(-1)的结论.这些结论都与三维半导体中载流子的运动根本不同.对于在PDA-TS中,极端高的迁移率这一事实,很多作者从不同的角度进行了研究,本文仅从输运方程的极端情况下的求解即可算出与实验事实(暗流测量)相符合的极高的迁移率,发现这是—维系统的共同特点,其他的聚合物中的迁移率不如PDA-TS中的高,我们认为是由于PDA-TS比较接近一维的特性. 相似文献
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彭景翠 《湖南大学学报(自然科学版)》1985,12(4)
聚二乙炔是一种具有良好结晶的有机半导体材料.近年来,对它的结构和性质的研究引起了很多人的兴趣.聚二乙炔被当作一维结构来处理,把π电子和~σ电子分开来,认为具有P轨道的π电子垂直于链的平面,而σ电子可以用有效弹性常数来描述,其σ-链能量的改变是偏离平衡的σ-链的位移的函数.于是,从一般原理出发,建立基态和存在一个激子时的哈密顿,利用求解格林函数的方法,可求出态密度,进而求出E_π作为位移的函数.求激发态声子频率时,采用半经典近似的方法,我们注意到,在求声子频率时所用的弹性常数是对应于σ-链的K_(j 1,j)~σ,而在实验中所测到是有效弹性常数K_(j 1,j),我们推出了两者之间的关系(方程9),发现它与E_π的二阶导数有关,对其修正进行了数值计算,所得的结果与实验符合得很好. 相似文献
10.
聚合物发光二极管的研究进展 总被引:2,自引:0,他引:2
对共轭聚合物中进行电运输及电致发光器件-聚合物发光二极管的研究进展进行了综述。 相似文献