SiO2基nm复合薄膜制备及微区不均匀性研究

采用溶胶－凝胶工艺制备了ＳｉＯ２基ｎｍ复合薄膜．ＦＴ－ＩＲ分析表明，薄膜中羟基（－ＯＨ）的含量随热处理温度的提高而减少；通入ＣＣｌ４热处理，可以使－ＯＨ含量明显降低．ＳＥＭ及电子能谱显示薄膜中存在亚μｍ的不均匀区域，此区域含Ｃ量较高．经８００℃通氧热处理，不均匀区域的含Ｃ量与均匀区域相同．Ｘ射线衍射的掠入射分析表明，随热处理温度的提高，晶粒尺寸沿膜厚方向的差异增大．     

电场诱导PLZST陶瓷反铁电-铁电相变的原位X射线衍射研究

用原位Ｘ射线衍射、电滞回线,纵向应变等手段研究了组分分别为（Ｐｂ０．９７Ｌａ０．０２）（Ｚｒ０．７Ｔｉ０．０９Ｓｎ０．１６）Ｏ３和（Ｐｂ０．９７Ｌａ０．０２）（Ｚｒ０．６５Ｔｉ０．０１Ｓｎ０．２５）Ｏ３２个样品的电场诱导反铁电－铁电相变现象。结果表明,当外加电场高于相变临界场后,四方反铁电相转变为三方铁电相,四方相轴比ａ／ｃ越大,相变引起的纵向应变量越大;另外,经外场极化的反铁电畴咐有限向性。     

Mn—Zn热敏铁氧体自旋涨落与磁性的研究

采用Mossbauer谱和磁测量技术对几种Mn—Zn热敏铁氧体进行了研究。这些材料在室温(0.8—0.9T_c)的Mossbauer谱为塞曼线外线宽,内线强。这种线型可用磁有序系统弛豫线型的微扰理论解释。可认为是在Mn—Zn铁氧体内的一种自旋涨落效应。实验发现,μ—T曲线在居里点附近的斜率m_(rc)值与冷却方式有关。由于冷却方式不同,致使A、B两晶位离子的分布和内应力有差异。因为m_(rc)由磁化强度,磁致伸缩应变以及磁各向异性的温度依赖关系决定,所以受离子自旋弛豫的影响。A—0—B超交换作用的各向异性为主要的弛豫机制。     

非晶N:GeSb薄膜的光致晶化及其相干声子谱表征

利用对微结构变化非常灵敏的相干声子光谱技术研究了非晶N:GeSb薄膜的光致相变特征。发现当激光辐照能流达到某个阈值时,出现了一个新的声子模,表明相变的发生。同时,退火晶化的N:GeSb薄膜也出现此新的声子模,表明激光照射的确导致了薄膜的晶化。相干光学声子谱的抽运能量密度依赖实验结果表明光致晶化的N:GeSb薄膜的相干光学声子的寿命和频率均随抽运能量密度增加而减小,与晶体中的依赖关系一致。结果表明N:GeSb薄膜的光致晶化质量较好,具有相变光存储应用潜力。