量子"囚徒困境"的混合量子对策

在J．Eisert,M.Wilkens和M．Lewenstein等人提出的量子“囚徒困境”模型中，当两名博弈参与者采用纯量子策略，就能避免“困境”的出现，并且得到高于经典模型中所能得到的支付值，研究了这个量子化过程以有其中存在的问题，在这篇文章中提出应用混和量子策略的方法，不仅解决了以上问题，而且能够避免多重均衡中的策略“错配”问题。     

一台慢正电子束实验装置

本文介绍一台磁聚焦传输的慢正电子束装置.在该装置上用Ni+MgO 慢化体产生了慢正电子,测量了慢正电子能谱,并和其他实验组用Au(Pt,不锈钢)+MgO慢化体所得实验结果进行了比较.     

β磁谱仪的改建

我们实验室的无铁双聚焦β磁谱仪是五十年代末由梅镇岳教授等设计和建造的。由于搬迁及长期搁置,谱仪损坏严重,除主磁场同轴线圈仍能使用外,我们另行安装了新的供电系统、真空系统、地磁补偿系统及其自动跟踪,以及数据的自动采集系统,并进行了宽源色散补偿的试验。     

6H-SiC表面热氧化SiO2的正电子谱研究

本文将慢正电子湮灭多普勒展宽谱技术,应用于对SiC表面热氧化生长的SiO2特性的研究．S参数和W参数在退火前后的变化,直观的反映出SiO2/SiC表面氧化层中空位型缺陷浓度的改变．通过与SiO2/Si样品的对比,证实C元素及其诱生空位型缺陷的存在,很可能是影响SiO2/SiC氧化层质量和SiC MOS击穿特性的重要因素,后退火工艺可以提高SiO2/SiC中氧化层的致密性．实验表明,慢正电子湮灭多普勒展宽谱是研究热氧化SiO2特性的有效手段     

慢正电子技术研究ZrO2(Y2O3)薄膜的温度效应

用慢正电子技术研究了在溅射时不加偏压 ,纯 Ar气氛 ,基片分别为加热 3 0 0℃和不加热的情况下制备的 No.2系列和 No.7系列的用 Y2 O3稳定的 Zr O2 薄膜 (简称 YSZ膜 ) .研究发现 :YSZ膜心部区 S参数随退火温度升高而降低 ;YSZ膜的过渡区宽度随退火温度升高而变窄 ;基片加热 ,有助于获得稳定、均匀、致密的薄膜组织     

用慢正电子束测定类金刚石薄膜中的缺陷浓度

对在不同极板负偏压下采用射频-直流等离子体方法制备得到的类金刚石膜(a-C:H)的微结构进行了测量,利用慢正电子束实验装置,探测并分析了样品缺陷浓度的分布情况.结果表明,在不同偏压下制备的薄膜,其膜中缺陷浓度存在很大差别,但在900 V偏压下制得的样品,膜中的缺陷浓度最低.     

量子“囚徒困境”

J.Eisert,M.Wilkens和M.Lewenstein量子化了经典博弈论中的一个著名的例子－－囚徒困境（Prisoners‘ Dilemma）。在他们提出的物理模型中,如果两名博弈参与者采用纯量子策略,就能避免“困境”的出现,并且在该量子模型中,两名参与者的收益值都高于经典模型中的收益值。