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杂糯间栽模式下水稻生长发育和产量效应研究 总被引:1,自引:0,他引:1
田间试验研究了杂糯间栽模式下不同行位杂交稻以及间作、净作杂交稻和糯稻在生长发育、穗部性状、产量和经济收益等方面的效应。结果表明:在间栽模式下,杂交稻的分蘖生长和产量性状会受到不利影响,稻谷产量有所降低;同一间作单元内,近糯行比远糯行受影响更大,糯稻行北侧的杂交稻受影响程度大于南侧;间栽糯稻的分蘖生长受到较大影响,但其产量构成因素和单株生产能力优于净作糯稻;杂糯间栽单位面积稻谷总产量和产值都明显高于净作杂交稻和净作糯稻。 相似文献
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分析了表面陷阱对4H—SiC MESFET直流和瞬态特性的各种影响。在直流特性上,由表面陷阱引入的附加耗尽层使得饱和电流降低和夹断电压偏移;在瞬态特性上,引起栅延迟以及跨导和输出电导的频散。表面陷阱能级和密度的变化也会影响表面陷阱效应。该文还对栅延迟现象进行了分析,并给出了电子浓度分布随时间的变化。 相似文献
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研究了一类半线性椭圆方程,通过运用伯恩斯坦方法,得到了方程的梯度估计,证明了该方程关于▽u是非线性的结果的有效性. 相似文献
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p型Al/6H-SiC肖特基二极管特性的研究 总被引:2,自引:0,他引:2
作者研究了p型Al/6H -SiC肖特基二极管的基本制作工艺及其电学参数 .采用电流 -电压法 (I~V) ,测试了肖特基二极管的理想因子n和肖特基势垒高度b.对其基本电学参数n和b 的温度特性进行了研究 .分析了串联电阻对I~V特性的影响 . 相似文献
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针对红台地区低孔低渗性砂岩储层的特点,研究了将录井与测井技术综合起来对致密气层进行识别的方法,指出录井技术中气测录井对气层反应灵敏,而测井技术上可通过三孔隙度曲线叠合法及声波曲线与深电阻率曲线叠合法综合分析来识别气层,在实际应用中取得了很好的效果。 相似文献
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SiO_2/6H-SiC界面的物理性质及其辐照特性的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
在p型及n型 6H -SiC外延衬底上成功地制备了MOS电容 ,通过高频C~V测试 ,研究了SiO2 /SiC系统的物理性质和电学性质 .发现在SiO2 /p -SiC界面存在大量的施主型界面态 ,在p -SiC热氧化生成的SiO2 中有净的正电荷中心 ,而在n -SiC热氧化生成的SiO2 中有净的负电荷中心 .对n -SiC和SiMOS电容进行了γ辐照对比实验 ,证实了n -SiCMOS电容器具有优异的抗辐照性能 . 相似文献
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