锆钛酸铅陶瓷的烧结性能

测定了Zr 浓度为x= 0-85 ～0-97 的锆钛酸铅陶瓷(PZT) 的径向线收缩率和致密度. 同时, 利用球模型推导的扩散机制的烧结方程获得该Zr 浓度范围内PZT 陶瓷的烧结活化能. 研究发现, 在PZT陶瓷的铁电一反铁电相边界所对应的Zr 浓度范围, PZT 陶瓷的烧结活化能和致密度存在突变.     

Si雪崩冷阴极的电子发射特性

采用离子注入和快速退火法可制备Ｓｉ浅ｐ－ｎ结阵列，通过真空清洁处理和铯氧激活后制成阵列式Ｓｉ浅ｐ－ｎ结雪崩冷阴极，其最高电子发射效率为１６％。本文介绍阵列式Ｓｉ雪崩冷阴极的制各方法，给出了Ｓｉ冷阴极的雪崩电子发射特性，讨论了影响发射稳定性的主要因素。     

真空静电封接过程与分析

叙述了真空静电封接技术的工艺过程 ,对封接结果做扫描电子显微镜 (SEM)断面观察 ,并对封接件断面的元素浓度的深度分布用二次离子质谱分析器 (SIMS)进行分析 ,提出了真空静电封接的类电容器结构的新模型 .