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章安辉  李劼 《科技信息》2011,(15):J0068-J0069,J0185
本文着重研究了SiC晶体微管道测量的两种方法,即KOH腐蚀法和不腐蚀测试法,并对方法及其测量结果进行比较分析,实现对SiC单晶微管道缺陷这一表征SiC单晶质量的重要参数的快速准确的测量。  相似文献   
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