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本文采用渗氧池的方法研究了氧化钙-氧化锆陶瓷在960—1450℃的温度范围内的渗氧性,渗氧池一侧的氧分压(P′o_2)为10~(-3)～1大气压,另一侧的氧分压(P″o_2)为10~(-0)～10~(-4)大气压,单位时间单位面积渗氧量与(P′o_2~(1/n)-P″o_2~(1/n))成正比,其中指数项中的n值依赖于样品的微观结构和厚度,所导出的由内部扩散及表面反应混合控制的机理与实验结果一致,从而满意地解释了渗氧性对氧压依赖关系的特异规律,内部扩散及表面反应的活化能相近,约为200kJ/mol。 相似文献
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本文根据HMO理论将图形理论方法应用于含杂原子的浮选药剂,求得了黄药、黑药、二硫代氨基碳酸和脂肪酸中极性部分的本征多项式、能量本征值和黄药极性基中各原子的电荷密度。计算结果表明,负电荷梨中予硫原子上,从而可推断在浮选金属时,捕收剂物质中硫是起主要作用的原子。这为研究常用的捕收剂与金属的反应机理提供了理论根据。 相似文献
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WSM(whitewey,Smith和Masson)模型的平衡常数K_(11)是二元硅酸盐熔体聚合度的表征。本文讨论了某些键参数Z/r_k(金属离子的有效核电荷与离子半径比)、I_2(第二电离能)、[(Z″-σ)/n]~2(形成二价离子的Slater电子位能函数)、x_A(Allred-Rochow电负性)与K_(11)的对应关系。其中用lgK_(11)对X~3A作图得到直线关系,其经验方程可整理为:lgK_(11)=-3.75+0.845X~3A-(Z/r_k)△X~(1/3)×lg(1600/T℃)。根据该方程可以计算二元硅酸盐熔体聚合的K_(11)值。计算结果与实验结果基本相符。 相似文献
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本文采用吸收-解吸氧的方法测定了CaO-ZrO_2在氧压10~(-8)～1.0大气压范围内的过剩氧浓度,实验研究了影响过剩氧浓度的各种因素:氧压,温度,掺杂氧化物及杂质。结果表明,具有变价的过渡金属氧化物是该材料过剩氧浓度的决定因素。关于电子正孔扑捉模型的假设从实验上得到了证实。在本文条件下电子正孔的扑捉中心是Fe″Z r。过剩氧浓度随温度升高而升高。氧在该陶瓷的溶解热为191 kJ/mole。利用晶体缺陷热力学平衡导出了电子正孔浓度与氧压的依赖关系,在恒温下电子正孔总浓度正比于Po_2~(1/4),理论表达式与实验测量结果一致。本文的发现对于改进固体电解质的响应时间具有重要意义。 相似文献
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根据CaO-ZrO_2陶瓷渗氧实验结果,用数值模拟方法研究了渗氧诱导期固体电解质吸氧(或放氧)的行为,发现用非守常的化学扩散系数计算的渗氧速率曲线与实验结果符合,吸氧流量及达到稳定态渗氧的时间随杂质氧化铁含量增加而增加,不含氧化铁的样品可减小极化并缩短电池电动势的响应时间。 相似文献
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