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本文给出了离子注入片和热扩散片的激光退火,激光诱导扩散和用激光照射制造肖脱基势垒二极管的实验结果。用cwCO_2激光器从硅片背面照射退火,不仅可以消除注入损伤,使注入杂质百分之百电激活,还可以得到注入结深不变的退火效果。激光诱导扩散可以实现“剪裁”掺杂剖面,掺杂层具有小的面电阻,高掺杂浓度和百度之百电激活,还可以形成突变PN结。掺杂结深只有几百埃。用激光照射制造SBD,具有势垒度高,整流特性好等特点。 相似文献
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