含碳或氟非晶硅合金膜的制备及其特性的初步研究

我们仍在PCTD法装置中通入SiH_4+CF_4的高纯混合气体,利用射频辉光放电分解SiH_4+CF_4,获得等离子体生成物,这些生成物在气流和电场作用下将传输到直流辉光淀积区,在衬底片生上长出含碳或氟的非晶硅合金膜。文中对该种膜的红外吸收光谱做了分析。用核反应微量无素分析测得了膜中的氟含量。用椭偏仪测得的数据计算出膜的折射率,且做了进一步的分析。对膜的X-射线衍射谱做了必要的分析。为进一步研究这类合金膜提供了一定的信息。     

用等离子体化学传输淀积[PCTD]法制备非晶硅合金膜及其特性

等离子体化学传输淀积[PCTD]法,是我们用来制备非晶硅合金膜的第二种新方法。在这方法中,我们利用从气体源产生的等离子体中的活性元素,在付蚀区腐蚀多晶硅或多晶硅和掺杂材料。腐蚀后的产物由于气流和电场的作用,传输到淀积区与H_2及电极和衬底表面起反应,在淀积区电场中的衬底上淀积出非晶硅合金膜。文中对淀积的机理、制备方法以及膜的结构和性质作了报导和讨论。     

纳米硅光能隙的Raman表现

早期非晶硅振动谱的研究中提到非晶材料光学吸收能隙与Raman谱的关联.嗣后,Lannin又在非晶四族元素动力学和序结构的研究中明确地指出:光能隙(即Tauc隙)与其Raman谱中类横向光学模(TO-like mode)峰的半高半宽的变化有关,且与无序硅贝特点阵模型(Bethe lattice model)做了比较,发现无序随机网络中每个原子的sp~3轨道互作用起伏的减小致使带边变宽,进而引起键角分布函数g(θ)的变化,表现在Raman谱的位、形上.然而,g(θ)可以从对分布函数g(r)的近似得到: