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太阳能电池用原料硅纯度要求很高,杂质含量必须低于1ppm。因此,等外品单晶硅,如拉单晶时的坩埚残留物或制单晶基片时产生的切屑,因其杂质含量高,均不能用作太阳能电池的材料。 对此,日本曾有一专利提出采用高频等离子体和区域精炼法综合处理,以除去上述弃物中的杂质。但该法存在的问题是废弃物中的SiC无法去除,能量效率和生产效率低。 本发明的目的是提供制造太阳能电池用的高纯硅的方法。该法能简便地除去废弃硅中的杂质。 本发明以制造半导体产生的硅废弃物为原料。方法是先将其融化,再用过滤装置(以硅化合物为主要成分 相似文献
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