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通过对∑-△调制器线性模型的分析,提出了一种∑-△调制器信噪比的优化方法,经Matlab仿真验证表明此方法是可靠的。  相似文献   
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在分析了金属一氧化物-SiC(MOSiC)器件物理模型的基础上,分析界面等物理效应时对器件的影响,建立了适于VLSI的MOSiC器件模型。利用当今流行的MATLAB软件,模拟了MOSiC器件的电特性。  相似文献   
3.
通过对∑-Δ调制器线性模型的分析,提出了一种∑-Δ调制器信噪比的优化方法,经Matlab仿真验证表明此方法是可靠的.  相似文献   
4.
通过对∑-△调制器线性模型的分析,提出了一种∑-△调制器信噪比的优化方法,经Matlab仿真验证表明此方法是可靠的。  相似文献   
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