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对热敏打印头电学性能及其测试原理进行了分析研究 ,并重点讨论其耐电脉冲冲击性能的测试 ;同时对测试仪设计原理 ,以及测试仪信号源、计数显示、功率驱动等主要组成部分进行了分析  相似文献   
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论述了采用硅栅CMOS工艺研制的热印头驱动ASIC,它由64位移位寄存器、64位锁存器、64位输出驱动电路和外围缓冲电路组成。其电路性能为:0.5kΩ负载电阻情况下,最大输出电流48mA,输出管饱和压降1.8V,输出管击穿电压3.5V,时钟频率5.2MHz,在传真机热印头上使用,可实现高速打印和高分辩率。  相似文献   
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