一种实现气敏元件互补增强原理的新结构①

提出了实现气敏元件互补增强原理的一种新结构，即Ｐ－Ｎ型半导体组合气敏元件理论分析表明，该Ｐ－Ｎ型气敏元件也可实现灵敏度的倍增，同时还给出了元件实际设计应满足的条件。     

硅单晶化学腐蚀表面的电子金相观察

半导体材料对外来杂质是非常敏感的,不仅在半导体器件的制造过程中微量杂质的沾污能严重地影响元件性能,而且制成合格管芯后,表面保护不好也能受环境污染而使其性能退化。 我们在半导体器件生产过程中经常发现,即使是同一锭硅单晶,采用同一种杂质源,在相同温度下进行扩散或烧结,只要硅表面的化学腐蚀方法不同,扩散或烧结的结果也就不会相同。对此,我们进行过多次实验,曾采用几种不同的化学腐蚀液对硅片进行清洁处理,其他工艺完全相同,最后制成的元件性能有很大的差别。     

一种新型气敏元件的研究

本文报道了复氧化物偏锡酸锌多晶体的合成工艺及以其为基体材料制作的新型(QM—Y1型)气敏元件的敏感特性和制备工艺,并讨论了敏感机理研究表明,这种气敏元件具有灵敏度高、稳定性好、响应时间与恢复时间短、电导率变化大等优点,可作为可燃性气体检测、检漏、监控和报警等设备中的理想探头。     

云南大学物理学科60年

云南大学于1933年成立了云南大学数理系。1937年后,从北平聘来赵忠尧、彭桓武、顾建中、周孝谦、杨桂宫等教授来校任教。1938年,彭桓武赴英国留学,成为云南大学第一个出国攻读物理学博士的学者(1947年学成回校任教,解放以后从事原子能理论研究)。     

QM-Y2型气敏(酒敏)元件研究

因驾驶员酒后开车造成的交通事故,给人民的生命财产带来的损失是非常惊人的,研究和开发具有选择性好、性能优良,高可靠的酒敏元件及酒精检测仪、车用饮酒监控器等,具有非常重要的意义。 酒敏元件,可用SnO_2添加V_2O_5,Cu,或ZnO添加V_2O_5、Ag_2O制备,也可由SnO_2掺人碱金属或碱土金属氧化物制成。此外,还有采用稀有金属复合氧化物如La_(1-x)SrCoO_3     

硅薄膜太阳电池的研制

本文阐述了用真空蒸镀法制作微晶—非晶硅薄膜p—i—n结构太阳电池的工艺过程及原理,所制得的电池开路电压Voc已超过500mv。     

食品中甲醛·次硫酸氢钠含量的快速测定

提出一种测定食品中甲醛·次硫酸氢钠(商品名:雕白块)含量的简便方法,即以Fe~(3+)氧化雕白块而分解出甲醛,再通过间苯三酚显色后检测其含量.该方法不需要蒸馏,具有快速、准确、选择性好的优点.另外还对中华人民共和国卫生部关于雕白块检测方法可能存在的误差进行了分析.