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本文通过化学气相沉积的方法,成功地在云母衬底上制备了高质量的Bi2Se3纳米片。通过湿法转移的技术,将纳米片转移到SiO2衬底上。通过光刻技术,我们制备了基于单个Bi2Se3纳米片的晶体管,并通过施加底栅电压,对Bi2Se3纳米片晶体管进行了有效的调控。研究表明,当Bi2Se3纳米片与电极之间形成欧姆接触时,底栅的调控效果较好;而当Bi2Se3纳米片与电极之间形成肖特基接触时,底栅的调控效果较差。 相似文献
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通过圆偏振光致电流及反常圆偏振光致电流的光学实验方法,研究磁性掺杂对三维拓扑绝缘体的影响.在圆偏振光激发下,相对于未掺杂三维拓扑绝缘体Bi2 Te3,其光电流方向不变,但幅值有所减小.这是由于磁性掺杂使得三维拓扑绝缘体狄拉克能带带隙打开,相同激发条件下,带间激发概率降低,光生自旋极化载流子浓度降低.对其光电导信号的分析... 相似文献
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