纯金属电阻率的简化模型

提出了纯金属电阻率的两个简化模型：一个统计模型，一个电子一声子耦合模型。由统计模型可得出：纯金属电阻率与声子浓度及声子平均动量的平方成正比。由电子－声子耦合模型得出：电子的散射几率不仅正比于声子数，而且正比于电子－声子的耦合强度。由这两个模型皆能得出纯金属电阻率在高温时与温度Ｔ成正比，低温时与Ｔ５成正比的结果。由电阻率—温度曲线的比较表明，两模型相当吻合。     

《固体物理教程》一书的特色

新编《固体物理教程》的第一个特色是只论述基础理论，不包括专业内容、除了教材体系作了改革外，对教学内容作了革亲提本书的第二大特点，对某些固体物理问题的处理方法和物理模型进行了改进是本收的又一特点。     

新型压电晶体Ga_(0.12)Al_(0.88)PO_4电弹常数的测量

采用两类切型的晶片,利用动态法对用缓慢升温法生长的新型非铁电性二元系压电晶体Ga_(0.12)Al_(0.88)PO_4电弹常数进行了测量。     

Cr2O3对（Co，Ta）掺杂的SnO2压敏电阻电学特性的影响

研究了Cr对(Co，Ta)掺杂的SnO2压敏材料电学性质的影响。当Cr2O3的含量从0增加到0．15mol％时，(Co，Ta)掺杂SnO2压敏电阻的击穿电压从206V／mm增加到493v／mm；1kHz时的相对介电常数从1968猛降至498；晶界势垒高度分析表明，SnO2晶粒尺寸的迅速减小是样品击穿电压增高、相对介电常数急剧降低和电阻率迅速增大的主要原因。对Cr含量增加引起SnO2晶粒减小的原因进行了解释。掺杂0．15mol％Cr2O3的SnO2压敏电阻非线性系数为24，击穿电压达498V／mm，在高压保护领域有很好的应用前景。     

晶体X光衍射强度与几何结构因子关系研究

从原子中的电子对X光散射的概念出发,对任意一个晶胞内的任意一个原子产生的X光衍射给出了具体的数学描述,从几何结构因子的定义出发,从理论上证明了晶体X光衍射强度与几何结构因子的平方成正比的这一重要关系。     

碱金属铌酸盐无铅压电陶瓷的介电和压电性研究

采用普通的固相反应烧结方法制备了(KxNa1-x)NbO3(KNN,x=0.40～0.70)和(Na0.485K0.485Li0.03)(Nb0.80Ta0.20)O3(NKLNT)陶瓷,研究了它们的介电和压电性能.发现KNN陶瓷的室温下的压电常数d33在0.4≤x≤0.65范围基本不依存于K和Na间的组分比、分布在100～130pC/N之间,而与陶瓷密度密切相关,但介电常数和介电损耗则随K组分含量的增加而降低.NKLNT陶瓷呈现出较高的d33,kp和kt值,然而介电损耗较大.添加了适量烧结助剂K5.4Cu1.3Ta10O29(KCT)的KLNT-KCT陶瓷致密度有显著的提高,相对密度大于96%,呈现出良好的压电性能,其d33达到215pC/N,kp=48%,kt=47%,tgδ≤0.75%.研究表明碱金属铌酸盐陶瓷是一类有发展前景的无铅压电材料.     

(1-x)Pb(Sc_(1/2)Ta_(1/2))O_3-(x)PbTiO_3二元系铁电陶瓷的压电特性

已有的研究表明,二元系铁电陶瓷(1-x)Pb(Sc_(1/2)Ta_(1/2))O_3-(x)PbTiO_3在介电、热电、光电方面都有广阔的应用前景.本文研究了该材料的压电特性,发现在准同型相界(x=0.45)附近,压电应变常数d_(33)和机电耦合系数k_t,k_p,k_(33)达到极值,而机械品质因数Q_m达到最小值.这种具有高机电耦合特性和低Q_m的压电材料特别适用于制备宽带滤波器、水声换能器及医学超声换能器件.     

在弱磁场作用下立方晶系金属的电阻率

给出了一种求解弱场近似下玻耳兹曼方程的新方法,并从理论上分析了在弱磁场作用下立方晶系金属的电阻率与磁场的关系。     

采用双Evjen晶胞计算离子晶体的马德隆常数

对NaCl结构以外的离子晶体，采用单采埃夫琴晶胞不能求得马德隆常数，分析了产生这一现象的根源，提出了用体积的两个埃夫琴晶胞计算离子晶体马德隆常数的方法。