基板负偏压对铜基体磁控溅射离子镀铝膜相组成的影响

本文主要论述基板员偏压与铜基体磁控溅射离子镀铝膜的关系。磁控溅射离子镀 铝膜不是简单的单质外接铝膜，而是铜和铝组成的合金膜。膜的相组成主要是由基板 负偏压所决定的。在一定的实验条件下，每一种铜－铝合金相的出现都有一临界负偏压 与之对应．     

高铬白口铸铁的组织与相结构研究

本文主要研究耐磨高铬白口铸铁的组织形貌与相结构问题。通过实验确定：比较 理想的合金主要化学组成为 Ｆｅ－１１．３％Ｃｒ－２．８８％Ｃ；经能谱、Ｘ射线及电子衍射 分析确认：该合金中的主要抗磨相为具有六方结构的（Ｃｒ．Ｆｅ，Ｍｏ）７Ｃ３型复合碳 化物、Ｈｖ１３００—１８００： 金相观测表明：该合金的显微组织形貌为：在强韧的回火马 氏体（或回火屈氏体）的连续基体上孤立匀称地分布着“菊花团伏”的高硬度共晶 碳化物（Ｃｒ，Ｆｅ，Ｍｏ）７Ｃ３。     

空心热阴极离子镀氮化钛涂层技术的研究

本文主要研究钛蒸发速率的影响因素和氮分压对涂层的影响。增加坩埚处聚焦线 圈电流，蒸发速率明显提高，缩小坩埚尺寸及其传热面积也能提高蒸发速率。氮分压 是决定涂层相结构和相组成的主要因素，并影响涂层中相的相对数量，从而影响涂层 硬度和颜色。     

PEMSIP法Ti2N和TiN两相涂层工艺研究

介绍了等离子体增强磁控溅射离子镀ＴｉＮ涂层的工艺，组织结构和性能，研究了氮分压和靶功率对涂层相组成和性能的影响，讨论了Ｔｉ２Ｎ对涂层硬度的影响，实验结果表明，由Ｔｉ２Ｎ和ＴｉＮ两相组成的涂层硬度高，显著提高刀具耐用度。     

等离子体增强磁控溅射离子镀TiN膜的电镜研究

利用透射电镜研究了铁基体等离子体增强磁控溅射离子镀ＴｉＮ膜的组织和结构。在沉积ＴｉＮ之前先镀一层极薄的钛中间层，继之再沉积ＴｉＮ。研究结果表明：在基体和中间层界面处有ＦｅＴｉ相；在中间层与后继膜的交接处α－Ｔｉ与Ｔｉ２Ｎ有结构匹配关系；靠近中间层的后继膜由Ｔｉ２Ｎ和ＴｉＮ两相组成；而远离中间层的后继膜部分是ＴｉＮ组成的。     

A3钢基体磁控溅射离子镀铝膜的物相分析

本文应用 Ｘ射线衍射分析和电子衍射分析研究了Ａ３钢基体磁控溅射离子镀铝 膜的相组成，结果表明，膜的相组成主要是基板负偏压所决定的。文中论述了正离子 对基板的溅射作用所引起的靶材原子和基板（基体）原子在基板上共同沉积的成膜机 理。     

磁控溅射离子镀膜组织与相结构的电镜研究

本文主要应用JEM-100CXⅡ型透射电镜研究了在Ｃ-u基材上磁控溅射离子镀Ａl及ＣｒＮｉ不锈钢时的沉积层组织与相结构。研究发现; 在一系列沉积工艺条件下，Ｃｕ基镀 ＣｒＮｉ不锈钢时，其涂层结构只含一种 Ｆｅ基 α相;镀 Ａl时，随基板偏压升高,可获得一系列新合金相，如；Al,AlCu,Al-2Cu-3,Al-4Cu-9,ＡlＣｕ-3，ＡlＣｕ-4，ａＣｕ等。这些结果将为进一步探索这类涂层的形成机理提供必要的理论与实验根据。     

PEMSIP法刀具TiN涂层技术

ＰＥＭＳＩＰ法刀具ＴｉＮ涂层技术等离子体增强磁控溅射离子镀（ＰＥＭＳＩＰ）ＴｉＮ涂层技术是在磁控溅射离子镀（简称ＭＳＩＰ，中国发明专利，１９８８年国家发明二等奖）基础上研究出来的一种新型ＰＶＤ刀具涂层技术。在ＭＳＩＰ设备中引进电子发射源和活化源，使其...     

基片负偏压对PEMSIP法TiN涂层的影响

应用Ｘ射线衍射分析研究了基片负偏压对ＰＥＭＳＩＰ法ＴｉＮ涂层相组成的影响；结果表明，随着基片负偏压增加，膜层相组成朝着富氮相及其含量增加的方向发展，进而影响膜层的硬度。通过微区化学成分分析（ＥＤＳ）研究了膜基界面附近的成分分布。结果表明，界面处有过渡层；偏压愈高，过渡层愈显著。