LPCVD的微型计算机控制系统

LPCVD技术就是在低压下将气态物质经过化学反应,在基片表面淀积成固态薄膜的技术.将计算机作为控制中心,有利于将生长过程、温度、压力、流量等反应参数自动调节和控制,生长出均匀的、性能良好的薄膜,提高集成电路的成品率,并对器件的可靠性、稳定性带来好处. 系统采用对温度、压力、流量进行定时采样、比较判别调整的控制方法,各气阀采用条件时序控制. 系统由Apple II Plus微机、IEEE488卡、PIO6522卡、8840A数字繁用表,D/A卡、     

一种基于时间因子的P2P信任算法研究

近年来,P2P技术在文件交换、搜索引擎、协同工作方面获得了巨大的成功．但对于非结构化分布式P2P网络来说,如何建立一个可靠、健全的信任机制仍是一个急需解决的问题．在重点分析目前所存在的主要信任机制的基础上,提出一个基于时间因子的信任度算法,经仿真实验证明,所提出的基于时间因子的P2P信任算法能够灵敏地描述节点的当前状态,并能很好地起到隔离恶意结点的作用．     

扩散炉型等离子化学蒸汽淀积系统生长氮化硅膜的研究

为了进一步提高半导体器件的合格率和可靠性,集成电路管芯的表面钝化处理已成为半导体器件工作的重要课题之一. 由于铝硅合金最低共熔温度的限制,器件的表面最终钝化膜应在低温下淀积(<450℃).这就使得一些优质钝化材料,如阻挡可动离子沾污和抗湿气能力很强的高温GVD氮化硅,因淀积温度过高(700～900℃)而无法用于管芯蒸铝后的钝化工作中.为了     

三维LPCVD计算机模拟

低压化学蒸汽淀积(LPCVD)薄膜技术发展很快,在集成电路、太阳能电池研制中占有重要地位,本文在一维LPCVD计算机模拟的基础上,进一步提出了三维模拟算式,以便