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基于0.5μm CMOS工艺,考虑面积、功耗和工作状态中电容容值等因素,采用LDMOS电容来实现高精度频率的振荡器.一般的CMOS电容特性是非单调变化的,而LDMOS电容只工作在积累区和耗尽区,电容特性可近似理想电容.仿真和测试结果表明,在电源电压1.5～5 V大范围变动的情况下,振荡频率稳定性高,达到设计预期效果.在给电容充电用的静态电流只有40 nA的低电流条件下,振荡器模块中电容的版图面积只有65 μm×65 μm,而且LDMOS工艺和CMOS工艺兼容,可以在不增加工艺复杂度的前提下,用较小的版图面积产生高精度时钟信号. 相似文献
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使用一种新的频率补偿方法设计了一种100 mA低压降CMOS线性稳压器(LDO).所设计的LDO仅使用了一个PMOS管进行补偿,无需使用电路内部其他的补偿电容和补偿电路就能保持稳定.使用0.18 μm工艺仿真结果表明,设计的LDO使用4.7 μF的负载电容,具有高的PSRR和很好的瞬态反应特性,在负载电流从0 mA跳变到100 mA以及从100 mA跳变到0 mA的时候,输出的变化小于8 mV,反应时间小于1μs,且在1kHz的时候PSRR为-72.3 dB. 相似文献
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