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1.
本文利用数值方法,在几组典型参数值下,详细地考察了弱耦合强迫布鲁塞尔振子在超临界情况下双稳周期运动的周期与初值的关系。首次在初值平面x_0—y_0上的一定范围内,给出了导致不同周期运动的初值分布(流域)。计算结果还表明:在此范围内不存在多重稳定态,因而从一个方面进一步加强了弱耦合条件下的强迫布鲁塞尔振子与圆映象的可比性。 相似文献
2.
3.
表面活性剂对卟啉荧光光谱影响的研究 总被引:2,自引:0,他引:2
研究了一系列不同类型表面活性剂对不同存在形体的卟啉(H2P和H4P^2+)TAPP,TPPS4和TPyP荧光光谱的影响,讨论了影响卟啉的荧光激发光谱,荧光发射光谱和荧光强度的主要因素,得出了一些规律和结论。 相似文献
4.
采用风洞试验方法研究高层建筑外附雨篷的风压特征,分析风压系数、风压相关性、非高斯性和整体升力系数随风向角的变化,给出围护结构的设计风压,最后研究倾角和出挑长度对整体力系数的影响. 研究发现,高层建筑外附雨篷上表面风压系数在正迎风时最大值接近1.4,系气流受到后方高层建筑的阻挡下翻导致;上、下表面的最大整体压力系数出现正迎风情况,最大值分别为1.24和0.76;上、下表面的最大整体升力系数出现侧风面,最大值分别为1.13和1.01;上下叠加后测点风压的非高斯性比单表面增强;上表面和下表面的升力系数在0°~70°风向呈现高斯分布,在80°~180°风向呈现较强的非高斯分布;高层建筑外附雨篷上表面的极值正压大于下表面;雨篷整体升力系数按照倾角-10°、0°、10°依次递增. 相似文献
5.
王泓 《科技情报开发与经济》2005,15(7):204-205
简述了施工索赔的含义、施工索赔的原则及内容,提出了提高业务人员综合素质,为索赔工作奠定基础;寻找索赔契机并做好资料收集与整理工作,为索赔立项提供充分依据;正确处理公共关系并建立良好的索赔氛围等施工索赔的措施和方法。 相似文献
6.
集群系统中基于MPI的关联规则快速挖掘算法 总被引:1,自引:0,他引:1
集群系统是一种分布存储系统,它主要利用消息传递方式来实现各结点之间的通信.在集群系统中通过利用MPI中的消息传递调用接口,提出了一种基于二进制形式的数据存储和计算的高效并行挖掘算法,通过对数据对象进行一些"或"、"与"、"异或"等逻辑运算操作,降低了算法的实现难度,减小了网络通信量,提高了挖掘效率,具有较好的可行性和可扩展性. 相似文献
7.
近年来,越来越多的单分子磁体(SMMs)体系被探索出来,尤其关于DyⅢ、HoⅢ、ErⅢ等稀土离子组装而成的SMMs的研究取得了阶段性的进展,但目前对YbⅢ的系统性和比较性的研究较少.基于此,为探究YbⅢ配合物的组成和结构对磁弛豫性能的影响,本研究合成并表征了两种氰基桥连3d-4f一维链状配合物{[Yb(TPPO)4][Fe(CN)6]}(H2O)(简写为1YbFe,其中TPPO为三-(N,N-四亚甲基)磷酰胺)和{[Yb(TPPO)4][Co(CN)6]}(H2O)(简写为2YbCo).粉末X线衍射表明两种化合物均有较高的纯度,单晶X射线衍射结果显示两种化合物局部配位几何结构均为八面体(Oh)构型.磁性研究证明零场下配合物1YbFe和2YbCo存在量子隧穿(QTM)效应,交流磁化率不表现出频率依赖性.在外加2 kOe直流场下,... 相似文献
8.
高对称性晶体场环境下的各向异性镧系离子有利于消除其非轴向磁各向异性,并且在较大程度上抑制量子隧穿效应(QTM),从而有利于增加单分子磁体(SMMs)的磁弛豫有效能垒(Ueff)、提高其阻塞温度(TB).而研究较少的各向同性GdⅢ离子表现出不寻常的场诱导磁弛豫性质,其弛豫机理仍然存在争议.本研究采用六氰合铁酸钾作为氰基前驱体以及具有较大空间位阻的2-甲基吡啶氮氧化物(2-PNO)作为辅助配体,使用溶剂挥发法与稀土GdⅢ离子构筑氰基桥连GdFe配合物,并进行结构表征、磁学性质探究.单晶X射线衍射结果表明配合物GdFe中GdⅢ离子的配位环境为具有局部高对称性且轴向拉伸的五角双锥型(D5h)配位几何结构.零直流场下GdFe配合物的交流磁化率没有表现出频率依赖性,应是量子隧穿效应所致,而在外加1 kOe直流场条件下则显示出磁弛豫行为,表明QTM过程被抑制.其直流场诱导磁弛豫行为可归结为一个由共振声子俘获所产生的声子瓶颈效应以及一个低温下未被完全抑制的QTM过程.该G... 相似文献
9.
推行工程量清单计价方法是工程造价计价方法改革的一项具体措施。它使我国建设工程的计价模式,由定额计价转变为工程量清单计价,形成了政府宏观调控、企业自主报价、市场指导价格、社会全面监督的工程造价管理体系。对清单计价模式下建筑企业存在的风险因素及规避风险的策略进行了初步的探讨。 相似文献
10.
考虑到薄膜中存在的缺陷对发光的影响,采用位形坐标为理论模型,对用射频溅射法制备的具有Au/(Si/SiO2)/p-Si结构样品的电致发光谱进行了数值分析.数值结果表明,在SiO2薄膜中存在2个缺陷中心,电子和空穴就是通过这些缺陷中心复合而发光.这一结论与实验符合得很好,并与量子限制效应-复合中心发光的理论结果相一致. 相似文献