射频氧等离子体中SiO_2的生长

本文报道了在射频氧等离子体中生长SiO_2的实验结果。氧比速率随射频功率和氧化温度的上升而增加。氧化温度降到500℃以下时,氧化速率能够达到500(?)/hr以上。给出了氧化层电荷密度、击穿强度和氧化诱导堆垛层错的测试结果,对生长饥理和实验结果作了定性说明。