排序方式: 共有3条查询结果,搜索用时 0 毫秒
1
1.
2.
概述了GaAs MMIC放大器的技术发展,探讨了功率单片的设计技术。介绍了一种S/C波段宽带GaAs MMIC功率放大器的设计与工艺制作情况。该芯片采用有耗匹配电路结构,利用HFET工艺制作,在3~6GHz频段内饱和输出功率达到3W,功率增益大于23dB,输入、输出驻波比均小于2.5:1,效率为18~25%。 相似文献
3.
本文对产品参数系列的优化问题进行了理论性的探讨,提出了评价产品参数系列相对经济损益的数学表达式,给出了选择最优产品参数系列的递推方程组。最后指出,在选择产品参数系列时优先采用等此数列并不总是有效的,通过合理地选择产品参数系列来提高其经济效益的可能性尚未被很好地利用。 相似文献
1