工作于亚阈区的纯MOS管基准电压源的研究设计

本文旨在设计一种无三极管无大电阻无运放的纯MOS电压基准源,采用的方法是利用工作在亚阈值区的NMOS和自偏置的共源共栅NMOS组合。采用CSMC(华润上华)0.5 umBiCMOS工艺,在MOS工艺角sf、27℃,得到输出基准电压为1.520 V,电路功耗仅200 nA,在温度范围(-20℃～100℃)内的温度系数为31.33 ppm/℃.     

工作在亚阈区之纯MOS管电压基准的设计

采用工作在亚阈值区的NMOS和源极耦合对的组合设计一种无三极管、无大电阻、无运放的,工作在亚阈区的纯MOS电压基准源.利用CSMC(华润上华)0.5μm BiCMOS工艺,采用Cadence spice软件仿真.测试结果显示,输出基准电压为1.520V,电路功耗仅200nA,在温度范围(-20℃～100℃)内的温度系数为31.30ppm/℃.     

基于多分类SVM算法的癫痫发作自动检测方法

高性能的癫痫脑电信号自动检测方法对减轻医生负担并提高癫痫的诊断效率具有重要临床研究意义。论文提出了一种能够区分正常、癫痫发作和发作间期脑电信号的高性能三分类系统。采用Daubechies 4小波构成的4级提升式小波变换将脑电信号分解为不同子带信号,求得不同子带信号的近似熵、Teager能量、局部波动率、自回归系数、Hurst指数特征值;利用Fisher得分法进行特征选择,提高分类精度同时减小计算复杂度;基于二叉树多分类支持矢量机(support vector machine, SVM)对脑电信号分类,实现正常、癫痫发作和发作间期信号的自动检测。实验表明,系统的准确率、灵敏度和特异性均达到100%,优于现有的分类识别方法,提出的三分类系统具有良好的分类性能,为癫痫及癫痫发作的临床检测提供了较好参考价值。