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利用深能级瞬态谱(DLTS)对电子辐照区熔硅中多稳态缺陷进行研究的结果表明,经2h1000℃温度退火后,观测到在Ec-0.44eV能级中的多稳组态由40%减少到10%左右。这一实验结果为稳态缺陷不是Ps-Ci结构,而是E中心自身在晶场应力下显示稳态特性的设相提供了有说服力的证明。 相似文献
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