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红外光弹三向进光法研究硅晶片的应力状态 总被引:1,自引:0,他引:1
本文根据双折射原理,采用红外光弹三向进光法,对硅晶片的二维应力状态进行测量和研究。测定了在器件加工中{111}和{100}硅晶片各层的主应力的大小和方向,并对测量误差、三个进光方向选定和测量结果进行了分析和讨论。 相似文献
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