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本文定量地导出了反馈放大器的E_n—I_n等效输入噪声模型参量与基本放大器和反馈网络的模型参量间的解析关系式,给出了低噪声反馈放大器的设计要点。  相似文献   
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解析关系式的推导正常偏置状态下的双极型晶体管,即当晶体管的发射结正向偏置(对于 NPN 型管子,V_(BE)>0)、集电结反向偏置(对于 NPN 型管子,V_(BC)<0)时,其基极电流和集电极电流分别为(以 NPN 型管子为例)  相似文献   
3.
在基本放大器近似为单向有源网络的前提下,求得了四种反馈放大器的“简洁”条件。在“简洁”条件下,反馈放大器的传递函数和输入、输出阻抗具有简洁和便于应用的形式。  相似文献   
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在基本放大器近似为单向有源网络的前提下,求得了四种反馈放大器的“简洁”条件。在“简洁”条件下,反馈放大器的传递函数和输入、输出阻抗具有简洁和便于应用的形式。  相似文献   
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本文定量地导出了反馈放大器的 E_n—I_n 等效输入噪声模型参量与基本放大器和反馈网络的模型参量间的解析关系式,给出了低噪声反馈放大器的设计要点。  相似文献   
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解析关系式的推导正常偏置状态下的双极型晶体管,即当晶体管的发射结正向偏置(对于NPN型管子,V_(BE)>0)、集电结反向偏置(对于NPN型管子,V_(BC)<0)时,其基极电流和集电极电流分别为(以NPN型管子为例)(?)(1)(?)(2)式中peo、nbo和pco分别为发射区、基区和集电区在热平衡下的少子浓度,D_(pe)、D_(nb)和D_(pc)分别为发射区、基区和集电区的少子扩散系数,L_(pe)、L_(nb)和L_(pc)分别为发射区、基区和集电区的少子扩散长度,q为电子所给电荷量(不包括符号),A为晶体管PN结截面积,W为基区宽度(随集电结反向偏置电压V_(BC)作一定程度的变化)。  相似文献   
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