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1.
目的制备纳米ZnO粉体,并研究其电磁性能。方法应用溶胶-凝胶技术制备了纳米ZnO粉体,采用TG-SDTA,XRD,EDS,SEM等手段对产物进行了表征,用波导法测试了样品在X波段(8.2GHz~12.4GHz)的电磁特性。结果所制备样品为六方纤锌矿结构的短六棱柱状纳米ZnO粉体,原子比例偏离了1∶1,平均晶粒度和颗粒度随着煅烧温度的升高而增大,所制备样品具有较大的电磁损耗特性,煅烧温度为700℃时介电损耗最大,而600℃时磁损耗最大。结论此工艺条件下制备的纳米ZnO粉体属于电磁损耗型微波吸收材料。  相似文献   
2.
超宽禁带氧化镓(Ga2O3)半导体具有临界击穿场强高和可实现大尺寸单晶衬底等优势,在功率电子和微波射频器件方面具有重要的研究价值和广阔的应用前景.尽管Ga2O3材料与器件研究已取得很大进展,但其极低的热导系数和缺少有效的p型掺杂方法成为限制其复杂器件结构制备和器件性能提升的主要瓶颈.针对上述两大关键瓶颈,本文综述了利用异质材料集成的方法实现高导热衬底Ga2O3异质集成晶体管与基于p型氧化镍/n型氧化镓(pNiO/n-Ga2O3)异质结的Ga2O3功率二极管和超结晶体管的研究进展.采用离子刀智能剥离-键合技术实现的高导热衬底Ga2O3异质集成方案可有效解决其导热问题,碳化硅(Si C)和硅(Si)基Ga2O3异质集成晶体管展现出远优于Ga2O3  相似文献   
3.
目的 制备ZnO:Co粉体,并研究了不同Co掺杂浓度对ZnO:Co电磁特性的影响.方法 采用溶胶.凝胶法制备了ZnO:Co粉体,应用XRD,SEM等手段对产物进行了表征,用波导法测试了ZnO:Co粉体在x波段(8.2GHz~12.4GHz)的电磁参数.结果 各样品均为六方晶系纤锌矿结构的球状颗粒,当掺Co摩尔分数为5%时出现了微量的ZnCo_2O_4,XRD中3个主衍射峰对应的晶面间距随着掺杂浓度的增大而减小.从平均值的角度来看,各组样品具有较大的磁损耗,随着掺杂浓度的增大,ZnO:Co的介电参数(ε',ε"和tanδ_e)减小,而磁参数(μ',"μ和tanδ_u)先增大后减小.结论 此工艺条件下制备的ZnO:Co属于电磁损耗型微波吸收材料.  相似文献   
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