薄膜场致发光数字动态显示

研制成稀土掺杂ZnS薄膜直流场致发光数字屏并用于数字动态显示设备中。本文着重描述数字多路显示电路的设计和消除“串字”的方法;采用电容存贮显示,从周期平均亮度的计算,求得亮度与电路参数之间的关系式。     

电反射谱法研究N~+-p硅光电池第一及第二间接带隙

采用偏光电反射(ER)谱法测定室温下N~+P结Si间接光学带隙。实验数据表明,在1.05—1.90eV入射光能量之间存在两组ER结构。采用Aspnes等三点调整法计算带间能量,可初步断定:Si的第一间接跃迁(Γ25′—Δ_1)光学能隙为1.16eV;第二间接跃迁(Γ25′—L_1)光学能隙为1.61eV。     

光声光谱法研究（Zn,Cd）（S,Se）发光材料的带隙

报道了采用自行设计组装的光声光谱(PAS)测量系统,直接测定无辐射过程,研究Ⅱ-Ⅵ族化合物粉末发光材料特性。测量了[CdS]_(1-x)[CdSe]_x和[ZnS]_(1-x)[CdS]_x 粉末固溶体带隙与材料制备组份重量百分比x的关系,结果表明,上述关系均呈非线性。     

档案工作与时俱进常做常新

作者结合本院的档案工作实际,叙述了高职院校在行政机构与教学改革的不断深入和社会联系的不断加强,学院档案工作的范围也越来越宽,覆盖面越来越大情况下,档案管理人员在档案工作领域,工作思路,工作条件诸方面应如何拓展与创新。把握好档案工作服务于学院发展这个切合实际的主题,围绕这个主题开动脑筋,做好学院档案管理的各项服务工作。     

ZnS DOEL薄膜光电特性的研究

对Al-Al_2O_3-ZnS:Cu,Er,Cl-SnO_2直流薄膜电致发光(DCTEL)器件作了光电特性测量。发现被测器件的C-V特性类似于MIS结的特性。分析正向偏置器件产生电致发光,I-V、B-V关系,发光延迟与衰减及E_r~(3 )特征发射谱等实验结果,初步认为;在所研究的EL器件中,对应于E_r~(3 )特征谱线的发光中心不属于直接碰撞激发,而是敏化发光;Cu可能主要起着敏化剂的作用。