一种新的HEMT器件I—V特性解析模型

提出了一种考虑速度对冲效应的ＨＥＭＴ器件Ｉ－Ｖ特性解析模型，在非线性电荷控制模型的基础上，对栅极下面沟道中靠近源端附近的电场采用弱强阶梯近似，提出了一个半经验的速度过冲模型，经实际计算结果表明，本模型具有比较高的精度。     

微波电路计算机辅助设计程序—TNCAD1

本文介绍微皮电路的一个计算机辅助设计程序—TNCAD1。它能对各种阻抗变换器、滤波器、PIN管表减器、开关电路和晶体管放大器等进行分析和设计。     

微波PIN管阵列式衰减器的分析与设计

本文用归一化[A]矩阵分析PIN管阵列式衰减器;并给出了由计算机求出的四管至六管等元件阵和指数渐变阵的设计曲线,其精度要比按影象法计算时高。此外,对于电感补偿阵的分析也设计了专用程序;利用阵列因子可方便地分析各种电感补偿阵的特性。     

一种新的HEMT器件I－V特性解析模型

提出一种考虑速度过冲效应的ＨＥＭＴ器件Ｉ－Ｖ特性解析模型．在非线性电荷控制模型的基础上，对栅极下面沟道中靠近源端附近的电场采用弱强阶梯场近似，提出了一个半经验的速度过冲模型．经实际计算结果表明，本模型具有比较高的精度     

94千兆赫体效应振荡器

本文介绍一种具有二次谐波输出的体效应振荡器。它利用体效应振荡的非线性特性,在谐波频率上输出功率。因此只需一个体效应管,就可同时实现基波振荡和“倍频”功能。根据这个原理,采用六毫米波段的管子研制了94千兆赫振荡器。当基波频率为47千兆赫时,在94千兆赫频率上振荡器的输出功率为20毫瓦。这种新型振荡器已用作实验室测试信号源和整机的本振源。