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楚珏辉 《北京大学学报(自然科学版)》1980,(2)
本文讨论了半导体温差致冷的原理,材料的选择和制备,参数的测量以及致冷实验方面等都有叙述,并给出部分实验结果。讨论了Bi-Te-Se和Bi-Te-Sb系固溶体作为温差致冷材料的优值(Z=a~2(?)/k)。 相似文献
2.
本文测量了从77°K到470°K非晶硅的电导率和温差电动势率随温度的变化。样品分别由辉光放电法制备(样品1)和由真空蒸发法制备(样品2)。实验结果指出在300°K以上得到本征a-Si的电导激活能为0.25eV.(样品1)和0.62eV.(样品2),和由温差电动势率得出的激活能为0.24eV.(样品1)0.65eV.(样品2),二者基本上一致。并且得到定域带宽E_C-E_A分别为0.09eV.和0.25eV,跳跃激活能W为0.01eV.(样品1),0.07eV.(样品2)。 相似文献
3.
本文讨论了测量磁阻的实验方法及其与能带结构的关系;测量了取向(110)的n型锗单晶在0—7000高斯范围内弱场磁阻随磁场强度和温度变化的关系;还测量了霍耳效应和电导率。在略去高于磁场强度二次项的情况下,从实验结果计算出立方对称晶体唯象公式中的诸参数。这些结果表明锗导带能谷不在布里渊区中心,且具有非球形对称等能面。 相似文献
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