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本文就硅材料物理参数与应力的关系作了研究。对不同型号的硅晶体及硅扩散层,测试了施加不同应力的情况下电阻率的变化;测试了应力状况改变时电阻率变化的情形。测量结果经微型世电子计算机处理。发现:半导体硅晶体的电阻率与应力状况有明显的对应关系;导电类型不同的硅晶体,这种关系恰好相反。文中还就实验结果作了理论分析。 相似文献
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本文采用光电导光谱分布法和红外光弹法初步研究了硅晶体中禁带宽度与应力的关系。对数块硅晶体进行不同条件的热处理,测试了禁带宽度的变化以及应力状态的变化。发现半导体硅晶体中禁带宽度与应力有明显的对应关系:存在应力时,禁带宽度增加;清除应力后,禁带宽度减少。文中还对实验结果作了理论分析。 相似文献
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利用自己建立的红外光弹系统,研究了各种热处理条件下硅单晶中应力状态的变化。初步得出了硅单晶中的内应力在热处理过程中的变化规律。对实验结果作了简要的分析。 相似文献
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