利用振动电容法测量SiO_2薄膜的电荷分布

由于开尔文探针对表面性质响应十分灵敏,因此,目前在表面性质的研究中,如测量半导体材料表面的结构变化、测量光压响应及测量如非晶态α—Si 的扩散长度、监视表面化学吸附变化等方面,都采用了开尔文振动电容法.最近几年来,由于采用了压电陶瓷作探针的振动元件,使整个探针装置大为简