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采用射频磁控溅射复合靶技术制备了Si-SiO2薄膜，并在各种温度下进行了退火处理．XRD分析表明Si-SiO2薄膜为非晶结构，XPS分析表明样品主要是以SiO1.90的形式存在，它是富硅或缺氧的结构．在室温下观察到了可见光致发光(PL)现象，探测到样品的峰位分别在370m、410m、470m和510nm．结合激发谱对相应的激发与发光中心进行了讨论．另外，还研究了退火温度对其峰位与峰强的影响． 相似文献
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采用射频磁控溅射复合靶技术制备了Si SiO2薄膜,并在各种温度下进行了退火处理.XRD分析表明Si SiO2薄膜为非晶结构,XPS分析表明样品主要是以SiO1.90的形式存在,它是富硅或者缺氧的结构.在室温下观察到了可见光致发光(PL)现象,探测到样品的峰位分别在370nm、410nm、470nm和510nm.结合激发谱对相应的激发与发光中心进行了讨论.另外,还研究了退火温度对其峰位与峰强的影响. 相似文献
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