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砷化镓场效应管的潜在性失效 总被引:1,自引:0,他引:1
为提高GaAsMESFET静是放是失效阈值,通过ESD实验前、后直流参数和热分布变化获取不足10%的器件表面为永久性失效,而90%以上的器件表现为潜在性失效的结果。潜在性失效机理类强电场、大电流及ns级瞬时冲击下,辅之以电热迁移和扩散,致使GaAsMESFET肖特基势垒受到不同程度损伤,G-S、G-D间的界面离化或击穿。研究其潜在性失效机理,找出在设计、工艺和材料上的缺陷,以提高器件抗静电能力。 相似文献
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